Occasion AIXTRON Crius II-XL GaN 19x4" #9358604 à vendre en France

AIXTRON Crius II-XL GaN 19x4 est une technologie de réacteur révolutionnaire spécialement conçue pour faciliter la croissance à haut rendement des structures GaN-sur-silicium. Ce réacteur illustre les progrès les plus récents de la génération actuelle du système AIXTRON Crius. Il est logé dans un panneau de 19 x 4 pouces avec une lampe 15kW. Il offre un système de données haute pression et utilisant Xenon micro-ondes couplé inductivement plasma, il est en mesure de générer jusqu'à 4200W de puissance. Ce Crius II-XL de grande puissance permet également une géométrie d'écart efficace de 1-5mm avec une taille maximale de 200mmx200mm pour la plaquette. Le réacteur est équipé d'un suscepteur électronique de haute technologie en platine (Pt) pour assurer une répartition homogène et uniforme de la température sur toute la surface du suscepteur. Le susceptor est conçu pour supporter jusqu'à six plaquettes de croissance à la fois et s'adapte au module de régulation de température AIXTRON Crius très précis. Ceci assure une régulation précise de la température du suscepteur de 50 à 600 ° C avec des écarts minimaux de température allant jusqu'à ± 1 ° C Le réacteur comprend également un générateur RF de l'état de la technique avec une fréquence de fonctionnement standard de 13.56MHz et un mode de fonctionnement impulsionnel avec un débit d'impulsion de 0,2 à 1Hz et une largeur d'impulsion de 5 à 60 %. La fréquence de 13,56 MHz de ce générateur RF est dérivée de la source 200V pour générer une puissance globale de plus de 100W. Ceci garantit des conditions de fonctionnement optimales pour un dépôt de qualité maximale. AIXTRON Crius II-XL GaN 19x4 est un réacteur efficace et fiable qui garantit une efficacité de fonctionnement maximale tout en utilisant une vaste gamme d'options de paramètres de processus disponibles. Avec sa capacité multifonctions, ce réacteur est une excellente solution pour des applications nécessitant des procédés performants tels que la croissance de plaquettes GaN sur silicium. En tant que telle, cette technologie offre des avantages considérables en termes de coût, d'efficacité et de fiabilité.