Occasion AIXTRON CRIUS II XL #293766120 à vendre en France

AIXTRON CRIUS II XL est un réacteur à dépôt chimique en phase vapeur (CVD) de pointe conçu pour la croissance épitaxiale de matériaux semi-conducteurs composés de haute qualité. Développé par AIXTRON SE, un fournisseur leader d'équipements de dépôt pour l'industrie des semi-conducteurs, AIXTRON CRIUS II-XL représente la dernière innovation dans la technologie de dépôt en couches minces. Le réacteur CRIUS II XL est spécifiquement optimisé pour le dépôt d'une large gamme de matériaux semi-conducteurs, y compris le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d'indium gallium (InGaN) et l'arséniure d'aluminium gallium (AlGaAs). Ces matériaux sont essentiels pour la fabrication de dispositifs optoélectroniques avancés tels que des diodes électroluminescentes (LED), des diodes laser et des transistors haute fréquence. Une des caractéristiques clés du réacteur CRIUS II-XL est sa conception avancée de tête de douche, qui permet une distribution uniforme du gaz et un contrôle précis du processus de dépôt. Ceci garantit une qualité et une reproductibilité des matériaux élevées, critiques pour la production en masse de dispositifs semi-conducteurs aux performances constantes. La chambre du réacteur AIXTRON CRIUS II XL est équipée de multiples entrées de gaz, permettant l'utilisation de divers gaz précurseurs pour le dépôt de structures multicouches complexes. Le contrôle précis des débits et des rapports de mélange de ces gaz est assuré par un système sophistiqué de distribution de gaz, qui comprend des régulateurs de débit massique et des régulateurs de pression. Le processus de dépôt dans le réacteur AIXTRON CRIUS II-XL a lieu à des températures élevées (généralement comprises entre 700 et 1100 ° C) et dans des conditions atmosphériques contrôlées. Cela permet la croissance de films minces avec une précision à l'échelle atomique, assurant une excellente qualité cristalline et une netteté d'interface. Le réacteur est équipé d'un suscepteur à haute température, qui sert de plate-forme au substrat semi-conducteur lors du processus de dépôt. Le suscepteur peut tourner et basculer pour optimiser l'épaisseur du film et l'uniformité de la composition sur les substrats de grande surface, ce qui rend CRIUS II XL adapté à la fabrication à haut volume de dispositifs semi-conducteurs. Pour surveiller et contrôler le processus de dépôt, le réacteur CRIUS II-XL est équipé d'une série complète de diagnostics in situ, y compris la spectroscopie optique d'émission (OES), la spectrométrie de masse et l'ellipsométrie. Ces outils fournissent un retour en temps réel sur la cinétique de croissance et les propriétés des matériaux, permettant une optimisation rapide des processus et la détection des défauts. Le réacteur AIXTRON CRIUS II XL est conçu pour un haut débit et une évolutivité, avec une architecture modulaire qui permet une intégration facile dans les lignes de production existantes. Le réacteur peut accueillir plusieurs substrats en une seule fois, maximisant la productivité et réduisant les coûts de fabrication. En conclusion, le réacteur AIXTRON CRIUS II-XL représente une solution de pointe pour le dépôt de matériaux semi-conducteurs composés avec une qualité et une précision exceptionnelles. Sa conception avancée, ses performances robustes et son évolutivité en font un choix idéal pour les fabricants de semi-conducteurs qui cherchent à produire des dispositifs optoélectroniques de pointe à l'échelle.