Occasion AIXTRON Crius II #293660321 à vendre en France

AIXTRON Crius II est un réacteur d'épitaxie par faisceau non moléculaire (MBE) conçu pour le dépôt de couches minces de nitrures du groupe III. Il est capable de produire des couches minces de haute qualité de ces matériaux pour des applications à hétérojonction, telles que les diodes électroluminescentes (LED) et les diodes laser (LD). Crius II soutient à la fois le dépôt chimique en phase vapeur (MOCVD) et l'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE). La partie four du réacteur est capable de fournir des températures jusqu'à 1250 ° C La conception du réacteur assure des conditions homogènes dans toute la chambre de croissance épitaxiale. AIXTRON Crius II est équipé d'un certain nombre de caractéristiques pour faciliter l'utilisation et le dépôt stable. Il est équipé de multiples technologies de chauffage (induction, direct et RTA) et de systèmes de refroidissement pour maintenir l'uniformité de température. Il existe un équipement de distribution de gaz pour alimenter C2H4, NH3 et Ar avec des débits allant jusqu'à 80 sccm. Il existe également un filament de graphite qui supporte l'évaporation thermique de tout matériau, ainsi qu'un autre creuset pour l'évaporation thermique d'InGaAs si désiré. Crius II dispose d'un système de vide à sas qui peut évacuer la chambre de croissance de la chambre de sas à basse pression. La chambre de serrure dispose également d'une fenêtre résistant à l'abrasion pour protéger la chambre de serrure contre les températures élevées de la chambre de croissance. Le réacteur dispose également d'une pompe turbomoléculaire pour supporter un fonctionnement sous vide pouvant atteindre 10-8 torr. Le logiciel automatisé du réacteur peut supporter jusqu'à 20 paramètres de dépôt programmables individuellement en une seule fois. Cela fait d'AIXTRON Crius II une unité très polyvalente et fiable pour les dépôts MBE et MOCVD. De plus, la machine de profilométrie thermique et de pression in situ He mesure la qualité des couches déposées. En conclusion, le Crius II est un réacteur MBE/MOCVD avancé, sur banc, capable de fournir des conditions uniformes pour la croissance de couches minces de nitrures du groupe III dans un large éventail d'applications. Le réacteur est équipé de plusieurs caractéristiques qui facilitent l'utilisation et améliorent la qualité du dépôt, telles que le logiciel automatisé, les multiples sources de chauffage et le contrôle étanche du vide. Cela en fait un dispositif idéal pour déposer des films minces de haute qualité utiles dans les LED bleues et les diodes laser.