Occasion AIXTRON Crius II #9135739 à vendre en France

AIXTRON Crius II est un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) de qualité supérieure conçu pour produire des couches de couches minces de haute qualité destinées à être utilisées dans les matériaux semi-conducteurs. Ce réacteur est équipé d'un équipement de pointe de technologie avancée de contrôle des procédés (APC), qui utilise un algorithme adaptatif pour minimiser les fluctuations de vitesse de dépôt pour un refroidissement uniforme. Il dispose également d'un système rapide et efficace pour contrôler la température du film. Crius II comprend deux porte-plaquettes verticales pour le chargement et le déchargement des substrats de plaquettes. La chambre principale est en acier inoxydable et fonctionne à partir d'un environnement gazeux inerte pour un dépôt uniforme optimal. Il comporte également une unité de contrôle de débit de gaz actif, permettant une mesure précise des mélanges de gaz réactifs et un contrôle précis des conditions de débit de gaz nécessaires au dépôt optimal de la couche atomique. AIXTRON Crius II a également une machine source de faisceau d'électrons pulsé, qui est utilisé pour créer un chauffage localisé en différents points de la plaquette, lui permettant de déposer des films de manière précise et uniforme. En outre, il dispose d'un moniteur in situ qui permet à l'utilisateur de mesurer les propriétés physiques telles que le stress et les propriétés électriques en temps réel. Pour garantir des rendements de production élevés, Crius II peut être équipé de capacités d'outils supplémentaires, y compris l'alignement auto-focus et un four monocristallin. Il a également une fonction de jet annulaire embarqué qui aide à améliorer les vitesses de refroidissement et à réduire le mouvement du film entre les couches. AIXTRON Crius II est conçu pour répondre aux normes les plus élevées de précision et d'efficacité dans la production de films minces. Son actif avancé de contrôle de processus CVD fournit des résultats supérieurs avec des fluctuations minimales de température et de vitesse. En outre, son environnement efficace de gaz inerte fournit un environnement de dépôt propre et uniforme. Avec des fonctionnalités supplémentaires telles que l'alignement auto-focalisation et le jet annulaire, Crius II peut atteindre la meilleure qualité de films minces avec un mouvement de film minimal. Globalement, ce réacteur efficace est idéal pour le dépôt de couches minces dans l'industrie exigeante des semi-conducteurs.