Occasion AIXTRON Crius II #9399247 à vendre en France
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ID: 9399247
Taille de la plaquette: 2"-6"
Style Vintage: 2010
MOCVD System, 2"-6"
AFFINITY EWE-08AJ-ED43CAD0 Chiller
EDWARDS IXH645HLV Dry pump
ARGUS Temperature monitor
(4) Wires with ground wiring
Hydride lines: NH3-1/NH3-2/SiH4
(2) RAUDA RE235 Baths
(4) NOAH Precision baths
HORIBA MFC Type
GaN Gouve
Chamber (55"x2")
MO Source:
TMGa-1
TMGa-3
TEGa2
Cp2Mg-1
Cp2Mg-1
TMln-1
(7) TMAI-1
Missing parts:
ALCATEL / ADIXEN A100H/P Pump
ALCATEL / ADIXEN ACP 15 Pump
Heat voltage: 380 VAC, 3-Phase
Power supply: 208/120 VAC, 3-Phase
2010 vintage.
AIXTRON Crius II est un réacteur avancé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) capable de déposer une grande variété de matériaux, tels que les métaux, les semi-conducteurs, les oxydes et les nitrures. Il a été conçu pour la production ainsi que pour la recherche. Crius II dispose d'un design robuste et modulaire et peut être configuré pour accueillir un large éventail de processus et de tailles de substrat. Les principales parties du réacteur AIXTRON Crius II comprennent le système de mélange et de distribution de gaz contrôlé par microprocesseur, la chambre à ultra-haut vide (UHV), le porte-substrat chauffé et les deux magnétrons qui produisent le plasma. Le système de distribution de gaz est utilisé pour mélanger et délivrer des gaz à la chambre, tandis que la chambre UHV est conçue pour maintenir une pression faible et stable afin d'assurer une croissance uniforme des matériaux sur l'ensemble du substrat. Le support de substrat peut être chauffé jusqu'à 1 300 ºC pour permettre le dopage thermique et le chauffage de substrat pour la croissance de diélectriques à haute température. Crius II peut accueillir des substrats jusqu'à 4 pouces de diamètre et est compatible avec divers matériaux de base tels que les précurseurs organiques métalliques et les composés organométalliques gazeux. Les deux magnétrons utilisent la puissance continue (DC) pour générer un plasma à haute densité, ce qui contribue à améliorer la vitesse de réaction et l'uniformité de la croissance du matériau. Les magnétrons sont également utilisés pour surveiller et contrôler les conditions de dépôt telles que la température, la pression et la puissance plasmatique. AIXTRON Crius II est équipé d'un logiciel puissant qui permet un contrôle précis de tous les paramètres de traitement, y compris la température du porte-substrat, la puissance magnétron et les concentrations de gaz. Il peut également être utilisé pour exécuter des cycles d'auto-optimisation pour peaufiner le processus de croissance. Le réacteur Crius II est un outil puissant et polyvalent pour le dépôt de divers matériaux, depuis les métaux, les semi-conducteurs et les oxydes jusqu'aux nitrures. Il dispose d'une conception ergonomique qui permet un dépôt fiable et cohérent, ainsi qu'un contrôle précis des paramètres de croissance pour optimiser le processus. Il convient aussi bien à la recherche qu'à la production.
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