Occasion AIXTRON Crius #9302163 à vendre en France

AIXTRON Crius est un réacteur à dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD) utilisé dans la production de semi-conducteurs. Il est bien connu pour sa grande taille de chambre de traitement, permettant de traiter à la fois de gros substrats. Cela aide à réduire les temps de production, en fin de compte augmenter l'efficacité et le débit des produits. Le réacteur est construit avec une architecture multi-chambres, permettant de traiter plusieurs substrats différents simultanément avec des paramètres différents. La taille de la chambre est suffisamment grande pour accueillir plusieurs substrats de 200mm ou 150mm, ainsi que plusieurs autres substrats plus petits. Crius est équipé de la technologie de source RF de pointe qui est utilisée pour créer le plasma réactionnel. La source RF est soutenue par une alimentation à deux fréquences de 14 capacités qui a une sortie totale de 10 KW. AIXTRON Crius dispose également d'un certain nombre de configurations pour la livraison de gaz de procédé, y compris des injecteurs de gaz à double collecteur et une alimentation en gaz ambiant de la zone de dépôt. De plus, le réacteur dispose d'un système de contrôle de rétroaction avancé pour assurer une sortie cohérente et des paramètres opérationnels optimisés. Crius offre également une excellente uniformité de température, la stabilité mécanique, et les capacités du système de vide. Il est capable de maintenir des températures dans les 40 ° C de la valeur de consigne dans toutes les chambres de processus, en toutes circonstances. De plus, le réacteur est équipé d'un réglage actif de la hauteur de la chambre pour tenir compte des différentes tailles de substrat, de sorte que l'uniformité du procédé reste constante. AIXTRON Crius dispose également d'une pompe à azote liquide sans huile qui lui donne un vide allant jusqu'à 5 x 10⁻⁸ mbar. Dans l'ensemble, Crius est un outil de fabrication de semi-conducteurs fiable qui offre des capacités de traitement polyvalentes, des systèmes de contrôle de rétroaction avancés, une excellente uniformité de température et une stabilité mécanique, et un système de vide capable d'atteindre 5 x 10⁻⁸ mbar. Sa grande taille de chambre de traitement permet de traiter simultanément de grands substrats et d'augmenter le débit.