Occasion AIXTRON G3 2600 #9111425 à vendre en France

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Fabricant
AIXTRON
Modèle
G3 2600
ID: 9111425
Taille de la plaquette: 4"
MOCVD Systems, 4" LED for GaN Wafer size : 4" x 8 , 2" x 24 Heating type: RF induction heater Epi-tune: In-situ reflectance spectra MO Source: TMGa, TEGa, Cp2Mg, TMIn, TMAl Software OS: Window Gas system: Gas line: VCR type MFC: Bronhost, N2 / H2 / HCL / SiH4 / NH3 Carrier gas: H2 flow 70L/min; N2 flow 70L/min Vacuum system: Process pump: Ebara ESA25D Filter: exhaust gas filter with separate water cooling unit Pressure control: MKS651 controller, throttle valve Cooling system: Cooling liquid: Water Max. inlet pressure: < 6 bar Differential pressure: > 4 bar Inlet temperature: < 25º C Outlet temperature: < 65º C Includes: GMS Cabinet Reactor cabinet Exhaust and chamber Scrubber RF Generator Particle filter Pump 208 V, 3 Ph, 50/60 Hz Currently warehoused 2002-2007 vintages.
AIXTRON G3 2600 est un réacteur avancé de dépôt chimique en phase vapeur à paroi chaude (HWCVD) conçu pour la production de nanostructures et de couches minces de nanocomposite. Ce réacteur CVD avancé a une conception modulaire qui permet de contrôler plusieurs paramètres de dépôt, y compris les débits de gaz, la pression, la température, et d'autres. Il est également équipé d'un tube à quartz et d'un générateur RF (Radio Frequency) de haute puissance pour permettre la manipulation des espèces atomiques. G3 2600 est capable de déposer des matériaux avec précision jusqu'à l'échelle du nanomètre et est capable de produire des films minces de haute qualité. Sa conception modulaire permet de contrôler et d'ajuster les paramètres de dépôt tels que les débits de gaz, la pression, la température, etc., assurant ainsi précision et reproductibilité. De plus, le dispositif est conçu pour que différentes recettes de dépôt puissent être stockées dans son système informatique, permettant ainsi la production rapide et efficace de films minces. En outre, AIXTRON G3 2600 offre plusieurs fonctionnalités avancées, notamment son intérieur en acier inoxydable protégé par quartz, un panneau de contrôle tactile convivial, un design ergonomique et des pièces compatibles avec la salle blanche. En outre, le G3 2600 dispose également d'un générateur RF haute puissance (jusqu'à 76 MHz) et d'un tube de procédé à quartz chauffé, qui permettent tous deux de contrôler avec précision les films en croissance. Cette conception avancée rend le réacteur particulièrement adapté au dépôt de matériaux quantiques et de films de nanocomposites. Grâce au générateur RF de grande puissance, les utilisateurs peuvent manipuler des espèces atomiques et ioniques à l'intérieur du tube de procédé, ce qui leur permet de contrôler avec précision la vitesse de dépôt et la composition de leurs films. En résumé, AIXTRON G3 2600 est un réacteur CVD avancé conçu pour produire des nanostructures et des couches minces de nanocomposite avec précision et précision. Sa conception modulaire, ses caractéristiques ergonomiques et ses fonctionnalités avancées telles que son générateur RF et son tube de procédé en quartz en font un excellent choix pour un large éventail d'applications.
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