Occasion AIXTRON G3 2600 #9214303 à vendre en France

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Fabricant
AIXTRON
Modèle
G3 2600
ID: 9214303
Taille de la plaquette: 4"
Style Vintage: 2007
MOCVD Systems, 4" LED for GaN Wafer size : 4" x 8", 2" x 24" Heating type: RF Induction heater Epi-tune: In-situ reflectance spectra MO Source: TMGa, TEGa, Cp2Mg, TMIn, TMAl Operating system: Windows Gas system: Gas line: VCR Type MFC: Bronhost, N2 / H2 / HCL / SiH4 / NH3 Carrier gas: H2 Flow 70L/min; N2 flow 70L/min Vacuum system: Process pump: EBARA ESA25D Filter: Exhaust gas filter with separate water cooling unit Pressure control: MKS651 Controller, throttle valve Cooling system: Cooling liquid: Water Maximum inlet pressure: < 6 Bar Differential pressure: > 4 Bar Inlet temperature: < 25º C Outlet temperature: < 65º C Includes: GMS Cabinet Reactor cabinet Exhaust and chamber Scrubber RF Generator Particle filter Pump Power supply: 208 V, 50/60 Hz, 3 Phase 2007 vintage.
AIXTRON G3 2600 est un réacteur semi-conducteur de nouvelle génération qui permet à l'industrie de produire des dispositifs semi-conducteurs commerciaux de haute performance. AIXTRON G3 est un réacteur à dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD), qui est une forme de technologie de dépôt utilisée pour déposer des matériaux à couches minces tels que l'oxyde, le nitrure et le silicium polycristallin sur un substrat dans des environnements à haute température. Ce réacteur est spécifiquement conçu pour répondre aux exigences de croissance des semi-conducteurs haut de gamme des procédés modernes de fabrication de semi-conducteurs. G3 2600 utilise des fonctionnalités avancées telles que plusieurs canaux RF (radiofréquence), un contrôle de modèle en un clic (MOC) et une source à double plasma à haut rendement pour maximiser l'uniformité et le contrôle de processus. Les canaux RF multiples permettent de contrôler différents paramètres du réacteur, y compris la pression, la température et la densité radicalaire, permettant une surveillance précise de l'environnement du réacteur. La MOC simplifie la configuration du processus et réduit les risques, tandis que la source à double plasma à haut rendement assure l'uniformité sur plusieurs substrats de plaquettes. AIXTRON G3 2600 dispose également d'un équipement de 11 zones FP-Al2O3, ce qui réduit le risque de particules générées au cours du processus de dépôt. Ce système FP-Al2O3 contient une doublure en céramique sur mesure qui réduit les niveaux de particules, tout en améliorant la dissipation thermique. De plus, l'unité de régulation de température avancée permet un contrôle précis de la température du réactif, avec une précision allant jusqu'à 0,1 ° C En plus de ses avantages en matière de contrôle des processus et d'uniformité, le G3 2600 offre également un certain nombre d'autres fonctionnalités. Il s'agit notamment d'une machine de dégazage intégrée qui élimine l'air indésirable, l'oxygène et les composés organiques volatils (COV) de l'environnement du réacteur afin d'améliorer la pureté et les capacités de production à haut débit. AIXTRON G3 2600 est un outil de réacteur robuste et fiable qui offre une excellente couverture d'étape et une uniformité tout en répondant aux exigences de croissance des semi-conducteurs haut de gamme des procédés modernes de fabrication de semi-conducteurs. Avec ses caractéristiques avancées, un contrôle précis des processus et un taux de production élevé, le G3 2600 est un choix idéal pour la production de dispositifs semi-conducteurs.
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