Occasion AIXTRON G3 ICHT #9296290 à vendre en France

AIXTRON G3 ICHT
Fabricant
AIXTRON
Modèle
G3 ICHT
ID: 9296290
System.
AIXTRON G3 ICHT est un réacteur de dépôt en phase vapeur de premier plan utilisé dans la fabrication avancée de semi-conducteurs. Il est conçu pour fournir des performances de productivité fiables, précises et élevées pour la production de matériaux et de structures semi-conducteurs nano-structurés. Il est largement utilisé pour le MOCVD (Metal Organic Vapor Deposition), le PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) et les dépôts de films épais. Cet équipement avancé de réacteur CVD se compose de quatre composants principaux : conducteur, chambre, alimentation électrique et système de refroidissement. Le conducteur est le cœur du réacteur et sert à contrôler le processus de dépôt. Il est composé de deux parties : le PC « Interface » et le DC-driver. L'interface est utilisée pour contrôler les paramètres du processus tels que la pression du processus, la vitesse de dépôt, etc. Le moteur à courant continu est utilisé pour piloter des sources de dépôt activées électrochimiquement, permettant un dépôt très fin à des températures ultra basses. La chambre du réacteur est en acier inoxydable et est équipée de fenêtres en téflon et en quartz pour visualiser le processus. Il y a deux ouvertures rectangulaires en haut et en bas, permettant de chauffer le gaz de procédé et de l'adapter aux réactions ultérieures. Une fenêtre optique en haut assure également l'efficacité dans le contrôle du processus et le suivi de la croissance du matériau. L'alimentation en courant continu alimente le conducteur et les sources, déterminant la tension pendant le dépôt. La température du procédé est surveillée et contrôlée par une unité de refroidissement constituée d'un plateau de refroidissement, d'une paroi refroidie à l'eau et d'un capteur de température. Cette machine de refroidissement permet un contrôle très précis de la température lors du dépôt. G3 ICHT est un réacteur CVD polyvalent, fiable et précis capable de produire des matériaux semi-conducteurs de haute qualité avec une excellente uniformité et uniformité d'épaisseur. Sa conception robuste permet le dépôt rapide de films de haute qualité et offre une flexibilité en termes de conception de processus, permettant le dépôt d'une large gamme de matériaux même à des températures ultra-basses. En outre, la fiabilité solide de l'outil et le contrôle fin des processus peuvent surmonter les défis associés aux processus CVD traditionnels.
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