Occasion AIXTRON G3 #9066893 à vendre en France
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Vendu
ID: 9066893
Taille de la plaquette: 4"
MOCVD Systems, 4"
LED for GaN
Wafer Size : 4" x 8 , 2" x 24
Epi-tune: In-situ reflectance spectra
Gas: N2 / H2 / HCL / SiH4 / NH3
Source: TMGa, TEGa, Cp2Mg, TMIn, TMAl
Gas System:
Gas line: VCR type
MFC: Bronhost
Carrier gas: H2 flow 70L/min; N2 flow 70L/min
Vacuum System:
Process pump: Ebara ESA25D
Filter: exhaust gas filter with separate water cooling unit
Pressure control: MKS651 controller, throttle valve
Includes:
GMS Cabinet
Reactor cabinet
Exhaust and chamber
Scrubber
RF Generator
Particle filter
Pump
Software OS; Window
Voltage: 208 V AC, 3-Ph
Power: System: 25 kVA, Heater: 144 kVA
Frequency: 50/60 Hz
Cooling system:
Cooling liquid: Water
Max. inlet pressure: < 6 bar
Differential pressure: > 4 bar
Inlet temperature: < 25º C
Outlet temperature: < 65º C
2005-2007 vintages.
AIXTRON G3 est un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur conçu pour développer des matériaux fonctionnels avancés. La chambre de procédé AIXTRON G 3 est adaptée à la croissance d'une large gamme de matériaux, y compris les métaux à haute mobilité, les diélectriques et les semi-conducteurs, et dispose d'un certain nombre de technologies de pointe, notamment une grande flexibilité de processus, une gamme complète de contrôle des gaz et une interface utilisateur hautement intuitive. La chambre AIXTRON G3process peut accueillir jusqu'à quatre plaquettes en configuration linéaire, avec une capacité totale de 8 plaquettes (6 pouces ou 4 pouces) avec un seul support de substrat. La flexibilité de G3 permet la croissance d'une variété de matériaux de l'aluminium au silicium sur une large gamme de types de plaquettes. La plage de température de la plaquette va de la température ambiante à 500 degrés Celsius pour la croissance des III-V, des oxydes de métaux de transition et des métaux. G 3 dispose d'un système de pompe à ions passifs avec une construction à triple paroi, qui élimine la contamination provenant de sources extérieures. Il offre également un contrôle de la température multi-zones et un débit de gaz contrôlé par la température, permettant un contrôle indépendant du processus et un contrôle indépendant de la température des matériaux évaporés. Tous les paramètres du processus sont réglables et permettent à l'utilisateur de contrôler avec précision les conditions de croissance. AIXTRON G3 comprend un progiciel évolutif convivial qui fournit des interfaces utilisateur graphiques (UI) bien organisées, simples à comprendre. Cela aide l'utilisateur à contrôler le processus facilement sans se soucier de processus complexes ou de programmation. Le logiciel intègre également tous les codes de sécurité pour assurer un fonctionnement sûr du processus et une protection maximale du substrat. AIXTRON G 3 est un bon choix pour développer une variété de matériaux sur une large gamme de types de plaquettes avec un haut niveau de précision. Il pourrait être utilisé comme un outil efficace pour la recherche et les applications industrielles. Cette technologie de pointe offre une occasion unique de créer des matériaux avancés et de faire un pas en avant dans le développement de produits de haute performance pour une variété d'applications.
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