Occasion AIXTRON G3 #9074580 à vendre en France

AIXTRON G3 est un réacteur avancé de dépôt chimique en phase vapeur métallique (MOCVD) utilisé pour des applications semi-conductrices telles que la production de puces à diode électroluminescente (LED). AIXTRON G 3 est une plate-forme robuste avec une longue durée de vie qui est due en partie à sa conception exclusive de la solution de flux. C'est un système breveté de distribution à double flux qui aide à surmonter les limites de performance, comme la température et l'homogénéité des dépôts, tout en utilisant moins de sources et en réduisant les coûts d'exploitation. Les gaz sont séparés et injectés à de multiples endroits grâce à l'utilisation de la solution, ce qui réduit le trajet vers le substrat et réduit le temps de contact chimique. Cela peut aider à augmenter la reproductibilité et l'efficacité des processus. Le réacteur G3 est également capable de hautes pressions de chambre allant jusqu'à 500 millibar, permettant la formation rapide de films et un dépôt plus épais sans compromettre l'homogénéité. Afin d'assurer l'uniformité, G3 dispose d'un système de gestion de la température et du débit de gaz, qui combine deux régulateurs de température programmables indépendamment et deux obturateurs. Cela contribue à créer un environnement cohérent dans tout le réacteur, ce qui est nécessaire pour la croissance des cristaux et des couches de couches minces. AIXTRON G3 dispose de trois étages de moteurs linéaires ultra-stables cultivés individuellement pour une manipulation précise du substrat. Les étages offrent une faible dérive thermique pour une grande précision de position, et un pas minimum de 0,5 microns. AIXTRON G 3 dispose également de la suite Advanced Process Control, une suite d'algorithmes intelligents pour optimiser la performance des recettes de dépôt. Le réacteur G3 est un réacteur à semi-conducteur fiable conçu pour une précision, une précision et une répétabilité élevées. Grâce à sa conception, il est possible d'obtenir des films plus minces, un meilleur niveau d'uniformité et une plus grande efficacité grâce à des trajets d'écoulement plus courts et à des coûts d'exploitation moins élevés. Sa haute pression en chambre permet la formation de couches épaisses et le contrôle de la température est géré par l'intermédiaire de l'outil de production de cristaux et de couches de couches minces. Les trois étapes linéaires fournissent une précision de position élevée, et la suite Advanced Process Control aide à affiner l'ensemble du processus.