Occasion AIXTRON G3 #9163470 à vendre en France

AIXTRON G3 est un réacteur innovant à dépôt chimique en phase vapeur à paroi froide (CVD), de type horizontal et à basse pression, à moteur laser, conçu pour la production de matériaux semi-conducteurs. Le réacteur est le premier au monde à combiner un contrôle précis de la vitesse de croissance, de la température, de la concentration en oxygène et de l'uniformité des dépôts grâce au puissant équipement laser AIXTRON. AIXTRON G 3 est capable de traiter une variété de matériaux, y compris Si, SiGe, InP, nitrures III-V, et des oxydes à des températures allant de la température ambiante jusqu'à 930 ° C Il est également adapté à l'épitaxie de petite surface, ce qui le rend idéal pour la production de composants photoniques intégrés de haute performance. Le réacteur se compose d'une chambre à vide en acier inoxydable avec une bride de procédé intégrée à deux zones, un système laser AIXTRON, un refroidisseur, une fenêtre en quartz et une unité de commande. A l'intérieur de la chambre de procédé se trouvent deux compartiments : une « paroi froide » et une « zone chaude ». La paroi froide contrôle la température du substrat, tandis que la zone chaude est utilisée pour le dépôt. L'unité laser AIXTRON est le composant clé alimentant G3. Il utilise deux faisceaux laser spécialisés pour contrôler précisément le flux de gaz et générer le niveau de puissance désiré pour le dépôt. L'unité de contrôle permet une certaine souplesse lors de la détermination des taux de croissance, de la température, de la concentration en oxygène et de l'uniformité des dépôts. De plus, le refroidisseur assure le maintien de la température du substrat dans la plage requise. G 3 est une machine polyvalente et puissante, mais facile à utiliser, qui fournit toujours des matériaux de haute qualité. Il offre des conditions de processus reproductibles et une croissance fiable sans particules avec une très faible densité de défauts. Ce réacteur CVD de pointe est adapté à la recherche et à des applications industrielles dans des domaines tels que les dispositifs optoélectroniques et MEMS. Il repousse actuellement les limites dans des domaines comme la photonique intégrée, où il devrait avoir un impact énorme.