Occasion AIXTRON G3 #9187985 à vendre en France

AIXTRON G3 est un modèle de réacteur développé par AIXTRON, une entreprise allemande basée à Kiel. Il s'agit d'un réacteur à dépôt chimique en phase vapeur métallique (MOCVD) utilisé pour la culture de matériaux à base d'arséniure de gallium (GaAs) pour des applications semi-conductrices de composés III-V. AIXTRON G 3 est capable d'obtenir une épitaxie et une uniformité de haute qualité, ce qui permet la production de composants opto-électroniques tels que lasers, diodes électroluminescentes (LED) et photodétecteurs. G3 est conçu avec plusieurs caractéristiques de sécurité et d'efficacité qui aident à assurer un fonctionnement fiable. Tout d'abord, G3 dispose d'un équipement « Bake-in » pour l'optimisation des flux de cabine et de gaz qui évite les problèmes de formation de films épitaxiés. Deuxièmement, un obturateur VAR en un seul étage empêche l'invasion d'espèces de gravures indésirables. Troisièmement, le générateur de puissance d'injection évite la surérosion des surfaces conductrices et permet une température optimale du substrat pendant la croissance. Enfin, un volet de sécurité peut être utilisé pour empêcher les contaminants d'entrer dans la chambre de réaction. AIXTRON G3 dispose également d'un système d'entrée latéral qui minimise le risque que des particules pénètrent dans la chambre de croissance. De plus, sa fenêtre en quartz permet une observation facile pendant le processus de croissance. Des caractéristiques telles que la commande automatique de la grille, la protection contre la surpression de la chambre et un robot de transfert de substrat simplifié permettent d'assurer des processus optimaux et de réduire les risques de problèmes. AIXTRON G 3 utilise une unité de régulation de l'équilibre de pression pour réguler la température, permettant un contrôle serré du taux de croissance, de l'épaisseur de la couche et de la phase. Cela permet d'assurer l'uniformité et la croissance répétable des couches. Une machine de refroidissement active permet de maintenir la température précise nécessaire à l'épitaxie. De plus, un nouveau design de buse permet une croissance uniforme et améliore l'homogénéité du film. G3 est conçu pour un entretien facile et un fonctionnement fiable sur de nombreuses années. La conception modulaire robuste permet un remplacement simple de n'importe quelle pièce et aide à minimiser les temps d'arrêt. G 3 est équipé d'un outil d'échappement qui permet l'oxydation des gaz et le nettoyage post-process. Il dispose également d'un solide moyen de refroidissement par contact et d'un joint en verre de quartz pour assurer une connexion sûre et sans fuite au substrat. AIXTRON G3 est une solution de réacteur efficace et fiable pour divers matériaux semi-conducteurs composés III-V. Sa combinaison de caractéristiques de sécurité, de robot de transfert de substrats, de modèle de contrôle et d'équipement de refroidissement avancé assure un contrôle rigoureux des processus et un fonctionnement fiable. Ses produits uniformément de haute qualité et de faible défaut le rendent adapté à diverses applications de production de semi-conducteurs à haut rendement.