Occasion AIXTRON G4-TM #9364578 à vendre en France

AIXTRON G4-TM
Fabricant
AIXTRON
Modèle
G4-TM
ID: 9364578
Taille de la plaquette: 2"-6"
MOCVD Systems, 2"-6".
AIXTRON G4-TM est un réacteur à vide élevé conçu pour des applications telles que le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt par couche atomique (ALD) ou l'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE). AIXTRON G 4 TM est conçu pour une croissance optimale du diamant, de l'oxyde et d'autres matériaux semi-conducteurs, et est basé sur AIXTRON testé et la technologie CVD à paroi chaude. La chambre du réacteur est construite dans une taille compacte de seulement 1 x 0,4 mètre afin de réduire l'empreinte de l'installation. La double conception du tube fendu permet d'obtenir une répartition uniforme de la chaleur et de la puissance tout en ajustant l'angle d'injection des réactifs effluents. Le substrat est chauffé par le dessous et la distribution de gaz se fait par un système d'injecteurs à collecteur changeable d'orifices d'injecteurs sur le fond de la chambre. Pour le contrôle des processus et la facilité d'utilisation de G4-TM, il est équipé d'une interface utilisateur graphique intuitive, affichant des processus virtuels et des procédures graphiques. G 4 TM est capable de produire des cristallites de diamant pouvant atteindre 5,5 monocouches de nitrure de bore (BN) ainsi que des couches de nitrure du groupe III, y compris GaN, AlN et InN. AIXTRON G4-TM est également équipé d'un moniteur de pression intégré et d'un système de contrôle de pression de fond. La pression peut être réduite à une pression de base de 5 x 10-8 mbar, permettant une meilleure qualité et des cycles de croissance reproductibles. Afin de maximiser la sortie d'AIXTRON G4 TM, il intègre également deux contrôles de température indépendants pour le substrat et l'injecteur. Ceci permet un contrôle précis de la température afin d'obtenir les résultats de processus souhaités. En termes de sécurité, G4-TM est hermétiquement scellé et il est conforme aux normes de sécurité telles que le marquage CE, ATEX 94/9/EC, NFС990H2 et UL Classe 1 Division 1. Le réacteur est également conçu avec une atmosphère de sécurité inflammable et une protection contre la surcharge, ce qui le rend extrêmement sûr pour les applications en laboratoire et commerciales dans l'industrie nanotechnique. Globalement, le G4 TM est un réacteur CVD/ALD/MBE très fiable et avancé, capable de produire des matériaux diamantés, oxydes et autres semi-conducteurs de haute qualité. L'interface graphique itsintuitive permet une utilisation facile et sûre, et ses caractéristiques de sécurité intégrées en font un outil adapté aux applications de laboratoire et commerciales dans l'industrie nanotechnique.
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