Occasion AIXTRON G5 HT #193899 à vendre en France
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Vendu
ID: 193899
Taille de la plaquette: 2", 4", 6", 8"
Style Vintage: 2010
MOCVD / GaN furnace, 2", 4", 6", 8"
Susceptor: 14x4"
EPI application: GaN for blue LED
Currently in a cleanroom
2010 vintage.
AIXTRON G5 HT est un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur métallique (MOCVD) révolutionnaire et à haute performance utilisé pour la croissance de matériaux semi-conducteurs III-V, II-VI et composés. Développé et fabriqué par AIXTRON, AIXTRON G5HT est idéal pour la croissance de GaAs, InGaAs, InP, GaN, AlGaN, et les matériaux connexes utilisés dans les appareils opto-électroniques, tels que lasers, LED et diodes laser, ainsi que les transistors semi-conducteurs composés. G5 HT est une conception de réacteur horizontal, fournissant un grand volume de chambre avec des substrats de 50 mm et 75 mm. Les tailles maximales de substrat de 615mm et 1000mm peuvent être hébergées. Pour une meilleure qualité des cristaux, G5HT dispose d'un transport unique et homogène breveté et très faible du matériau source grâce à une conception améliorée du débit de gaz, augmentant l'uniformité des dépôts de matériaux sur l'ensemble du substrat. Le boîtier du réacteur est en acier inoxydable de haute qualité, assurant un chauffage uniforme optimal pour améliorer la qualité du cristal. AIXTRON G5 HT est une source fiable de matériaux semi-conducteurs avancés, fournissant cristallinité, uniformité, morphologie de surface, et les performances du dispositif. Il comprend de multiples sources, telles que des cartouches de grappes chauffées, des sources illimitées, des bulles, des sources d'injection de liquide et des sources radiofréquences, ce qui permet des processus à haute et basse température. AIXTRON G5HT est également capable de réaliser des processus avancés d'oxydation et d'impingration de faisceaux à deux particules. En outre, G5 HT est équipé d'une large gamme d'outils matériels et logiciels pour un contrôle thermique, optique et de processus complet pour encore plus de polyvalence. Il s'agit notamment des interféromètres laser, de la surveillance du diagramme de diffraction électronique à haute énergie réfléchie, des spectromètres de masse, des capteurs de pression, des capteurs d'oxygène, ainsi que des logiciels exclusifs AIXTRON AIMS™. Toutes ces caractéristiques se combinent pour créer un réacteur MOCVD puissant et fiable capable de produire un matériau performant et performant pour une gamme de dispositifs opto-électroniques et semi-conducteurs composés.
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