Occasion AIXTRON G5 HT #9256337 à vendre en France

Fabricant
AIXTRON
Modèle
G5 HT
ID: 9256337
Style Vintage: 2012
MOCVD System Capacity: 56x2", 14x4", 8x6" Wiring: 4-Wire with ground Hydride line: NH3-1, NH3-2, SiH4 MO Source: TMGa-1, TMGa-2, TMAl-1, Cp2Mg-1, Cp2Mg-2, TMIn-1, TMIn-2, TEGa-1, TEGa-2 MFC: Horiba Temperature monitor: EPI TT Power supply: 400 / 230 V AC, 3 Phase 2012 vintage.
AIXTRON G5 HT est un réacteur à haute température fabriqué par AIXTRON, un fabricant leader de systèmes de dépôt de technologie de pointe. AIXTRON G5HT est un outil avancé d'épitaxie conçu pour les applications de dispositifs semi-conducteurs de grande surface tels que les MOSFET de puissance, l'électronique de puissance haute performance et les transistors à mobilité électronique élevée (HEMT). G5 HT peut maintenir une température de processus jusqu'à 1045 ° C et offre un contrôle précis de la température. Il est équipé de divers équipements, tels que le contrôle automatique de la pression et le rinçage à haute pression, pour assurer des procédés de dépôt de couches minces de haute qualité. Au cœur du système se trouvent le suscepteur, la lampe à halogène à quartz et le générateur RF. Le susceptor est conçu pour un chargement et un déchargement faciles pendant le fonctionnement. Il a une plage de température de 300-1300 ° C et utilise une combinaison de lampes infrarouges et halogènes pour le chauffage. La lampe à halogène quartz fournit un chauffage concentré et concentré et est facilement réglable pour fournir un motif de chauffage lisse. Le générateur RF fournit une puissance de chauffage supplémentaire et peut être utilisé pour générer des processus plasmatiques pour augmenter les taux de dépôt et améliorer les performances du procédé. G5HT utilise une unité de livraison de gaz exclusive AIXTRON, permettant la livraison d'un large éventail de précurseurs sans avoir besoin de conduites de gaz auxiliaires. Ceci permet une flexibilité totale dans le type de matériau qui peut être déposé. En outre, AIXTRON G5 HT peut effectuer un dopage au nitrure de gallium à couche épaisse, permettant la fabrication de transistors à forte mobilité électronique (HEMT). Les avantages d'AIXTRON G5HT sont notamment ses capacités à haute température, sa capacité à déposer un large éventail de matériaux, sa machine de distribution de gaz efficace, et son contrôle de température précis. G5 HT est un outil fiable, économique et facile à utiliser, ce qui en fait un excellent choix pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs.
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