Occasion AIXTRON G5 #9225886 à vendre en France

AIXTRON G5 est un réacteur de poly-silicium à haute température utilisé pour le processus de dépôt de matériaux à base de silicium. Il est développé et fabriqué par AIXTRON, un fournisseur leader de systèmes de dépôt pour les industries des semi-conducteurs et de l'électronique. Le réacteur AIXTRON G 5 est conçu pour fournir un procédé de dépôt fiable et rentable. Il convient pour le dépôt en couches minces de divers matériaux dont le dioxyde de silicium, le nitrure de silicium, le silicium-germanium, l'oxyde d'aluminium, les oxydes catalytiques et le nitrure d'aluminium. Le réacteur G5 utilise un suscepteur cylindrique de graphite dans lequel est placé le substrat. Le suscepteur est ensuite chauffé par deux lampes infrarouges à l'intérieur du réacteur, ce qui crée une température de processus allant jusqu'à 1250ºC. La température du procédé est contrôlée à l'aide d'un régulateur de température PID, tandis que la vitesse de dépôt précise est régulée à l'aide d'une tête de commande embarquée. De plus, un système de contrôle de processus en boucle fermée utilise une surveillance de température multipoint pour assurer une répartition précise et uniforme de la température. Cela garantit une température de substrat répétable à chaque cycle de processus. G 5 dispose également d'une gamme d'outils analytiques et d'une séquence de processus entièrement automatisée. À chaque étape du processus, de nombreux paramètres tels que la température, la pression et la durée du processus peuvent être surveillés et contrôlés, ce qui permet d'obtenir des résultats cohérents et reproductibles. Un système de dosage in situ des précurseurs permet de doser avec précision une dose exacte dans le réacteur, assurant ainsi un dépôt uniforme et précis. Le réacteur AIXTRON G5 est capable de recevoir une variété de tailles et de formes de substrat, notamment des formes de polygones circulaires, rectangulaires, ovales, voire irrégulières. En outre, il peut atteindre un taux de dépôt allant jusqu'à 7nm/min et est très efficace pour utiliser des précurseurs, réduisant au minimum les émissions de déchets. Pour assurer des résultats cohérents, diverses mesures de protection, y compris des sondes intégrées aux capteurs, sont en place pour surveiller le processus et protéger le réacteur contre les dommages potentiels. Le réacteur AIXTRON G 5 offre une plate-forme fiable et très efficace pour le dépôt de silicium en couches minces. Il est capable d'obtenir des résultats cohérents et convient à un large éventail d'applications dans les secteurs des semi-conducteurs et de l'électronique.