Occasion AIXTRON Gen 3.5 #9067299 à vendre en France

AIXTRON Gen 3.5 est un réacteur épitaxié ultra-haute pression de pointe. Le réacteur est conçu pour des applications de croissance avancées, telles que la production de nouveaux matériaux opto-électroniques et nano-électroniques, en particulier les matériaux du groupe III-V utilisés dans les dispositifs opto-électroniques et les nano-électroniques. AIXTRON Gen 3.5 est équipé d'une interface utilisateur innovante « Facile à utiliser », assurant le fonctionnement et la maintenance d'un maximum de trois chambres simultanément. AIXTRON Gen 3.5 est alimenté par une source de réacteur multianode UHV/DP unique. Cette source puissante permet une plus grande flexibilité et un contrôle précis du dépôt des matériaux, permettant la production de matériaux opto-électroniques et nano-électroniques du groupe III-V de haute qualité. Il fournit également la capacité d'effectuer une ingénierie avancée de couche épitaxiale, permettant une plus large gamme d'applications. La conception du réacteur présente un certain nombre d'améliorations par rapport à son prédécesseur, le Gen 2.5. Cela comprend des taux de dépôt plus rapides jusqu'à 0,5µm/min, une meilleure homogénéité due à des caractéristiques de pression supérieures, une contamination minimale pour améliorer l'uniformité et le rendement des plaquettes, ainsi qu'une réduction de la température du procédé jusqu'à 500C. AIXTRON Gen 3.5 dispose d'une surveillance intégrée des processus, qui informe l'utilisateur des paramètres optimaux pour le dépôt détaillé et précis des matériaux du groupe III-V. Le système peut également réguler en interne les conditions pour assurer la cohérence et l'efficacité du processus idéal. Avec sa plus haute qualité et ses plus hautes performances, il est idéal pour l'ingénierie de couches épitaxiales pour les nouvelles applications opto-électroniques et nano-électroniques telles que les diodes électroluminescentes (LED). AIXTRON Gen 3.5 est l'un des réacteurs à croissance épitaxiale les plus avancés sur le marché. Ses nombreuses caractéristiques innovantes, telles que les taux de dépôt rapides, la surveillance avancée des procédés et le contrôle des contaminants, en font un choix idéal pour la production de matériaux opto-électroniques et nano-électroniques avancés. Son excellente capacité ainsi que son interface utilisateur facile à utiliser offriront aux clients une plateforme de croissance épitaxiale inégalée.