Occasion AIXTRON LYNX-II #9092877 à vendre en France

AIXTRON LYNX-II
Fabricant
AIXTRON
Modèle
LYNX-II
ID: 9092877
Style Vintage: 2000
CVD System (2) ALD Chambers Media: TMA, H2O, Hafnium MKS pressure controller 2000 vintage.
AIXTRON LYNX-II est un réacteur avancé de dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD) utilisé pour le dépôt en couches minces. Il est construit à l'aide d'une architecture CCS (Closed Coupled Showerhead), capable de supporter une grande variété de substrats, dont le silicium, le saphir, le verre, etc. Le réacteur est conçu pour déposer des films d'oxyde et de polymère, et présente un haut degré d'uniformité thermique. Sa configuration permet la réalisation d'une gamme de procédés, dont le dépôt chimique en phase vapeur de métaux organiques (MOCVD), le dépôt par couche atomique (ALD), la pyrolyse et le dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD). Le réacteur LYNX-II dispose d'une chambre à vide avec un débit élevé de gaz plasmatique afin d'obtenir un dépôt de film à haut débit. La chambre est équipée de fenêtres optiques pour permettre une surveillance facile du processus. Le réacteur contient également une chambre à deux zones qui permet de régler des températures indépendantes de chaque côté. Cette conception à double zone aide à réduire les problèmes de condensation et de purge plasmatique induite par la réaction (RIPP). Le substrat est chargé dans la chambre à l'aide d'un équipement robotisé de transfert de substrat pouvant accueillir jusqu'à six substrats. Ce système utilise un étage à deux axes pour un contrôle précis de la position du substrat. Le réacteur AIXTRON LYNX-II peut être équipé d'une pompe de diffusion pour créer des processus plasmatiques à plus haute pression. La pompe de diffusion peut être couplée à une unité de contrôle AFCMD, qui peut être utilisée pour contrôler les paramètres du processus. La machine de commande du réacteur LYNX-II est la « AFC Control II ». Cet outil contient une interface tactile qui permet à l'utilisateur de contrôler une variété de paramètres, tels que la pression de la chambre, la température et le contrôle du débit. L'actif est également capable de générer des alarmes lorsqu'un paramètre de processus est atteint ou dépassé. L'AFC Control II dispose également d'une fonction « Log/Record », qui stocke toutes les recettes et informations de processus. Le réacteur AIXTRON LYNX-II est doté d'un joint « verre-métal » de haute pureté, qui offre un haut degré de compatibilité des matériaux. Ceci permet de déposer des matériaux de matériaux différents, notamment des métaux, des oxydes, des nitrures et des polymères. L'utilisation de matériel en acier inoxydable aide à minimiser la contamination. Globalement, LYNX-II est un réacteur PECVD puissant et fiable pour le dépôt de couches minces. Son architecture CSC permet le dépôt simultané d'une gamme de matériaux sur un substrat, et son modèle de contrôle avancé permet un contrôle précis des paramètres du procédé. Le réacteur est idéal pour une variété d'applications, et est un outil essentiel dans le traitement industriel des couches minces.
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