Occasion AIXTRON TS CCSH30*2" #9167080 à vendre en France

AIXTRON TS CCSH30 * 2 est un réacteur semiconducteur horizontal monobloc avec un suscepteur en graphite enduit de céramique. Il est conçu pour traiter jusqu'à huit plaquettes à la fois, permettant la production efficace de dispositifs optoélectroniques à couches minces à base de semi-conducteurs composés et d'autres dispositifs optoélectroniques qui nécessitent des structures de réseaux complexes et le dopage. Le réacteur combine une source avancée de plasma à couplage inductif AIXTRON RF (ICP) avec des caractéristiques de conception avancées pour fournir un débit supérieur et un contrôle de précision des processus de dépôt. Le réacteur AIXTRON TS CCSH30 * 2 est doté d'une technologie CVD capable de déposer des couches et de produire des structures aussi minces que 10 nanomètres d'épaisseur. Le dépôt utilise un procédé à plasma couplé à courant continu inductif (DCIP) à trois procédés qui permet au réacteur d'acheminer avec précision les gaz et l'oxygène CVD nécessaires dans la chambre de réaction. La source ICP est équipée d'un générateur de forte puissance capable de délivrer jusqu'à 550 W de puissance à la chambre de réaction. Le procédé de dépôt utilise une combinaison d'un suscepteur et jusqu'à huit plaquettes à la fois. Le suscepteur est maintenu jusqu'à une plate-forme horizontale, qui a une hauteur et une largeur réglables. Ceci permet un contrôle précis de la hauteur et de l'espacement entre les plaquettes, contribuant à assurer des processus de dépôt avec une épaisseur de film uniforme sur toutes les plaquettes. La conception de la chambre de réaction favorise également un traitement homogène, qui utilise un contrôle de retour de gaz très efficace pour s'assurer que les processus de dépôt sont extrêmement précis et reproductibles. La chambre est conçue avec un contrôle intégré de l'humidité et de la température ainsi qu'un système d'isolation sous vide. Cela permet d'assurer un dépôt uniforme sur toute la surface de la plaquette. Le réacteur AIXTRON TS CCSH30 * 2 est conçu pour traiter une grande variété de substrats, y compris Si, GaN et GaAs, et peut être configuré pour fonctionner dans un environnement à chambre unique ou multi-processus. Son interface facile à utiliser fournit une multitude de réglages qui peuvent être ajustés pour assurer un dépôt optimal de substrat et d'oxyde. Le réacteur AIXTRON TS CCSH30 * 2 est l'outil parfait pour la production de dispositifs optoélectroniques complexes à couches minces. Il est doté d'un design innovant qui permet un débit élevé, un contrôle précis des processus de dépôt et des épaisseurs de film uniformes. C'est le choix idéal pour les ingénieurs de procédé à la recherche d'un outil pour créer efficacement et efficacement des dispositifs à couches minces avec les normes de qualité les plus élevées.