Occasion AIXTRON VP508GFR #9401520 à vendre en France

AIXTRON VP 508GFR est un réacteur d'épitaxie à parois froides à paroi verticale fermée à base de pulvérisation magnétron. Il est conçu pour produire efficacement des matériaux optoélectroniques III-V et est capable de générer des structures 2D et 3D. Le réacteur VP 508GFR est équipé d'une pompe turbo-moléculaire de taille moyenne et d'une chambre principale de 200mm. La chambre principale a une pression maximale de fonctionnement de 1 à 10E-1mbar, tandis que la température du substrat peut être ajustée entre 25 ° C et 500 ° C Le plancher du réacteur est équipé d'un générateur RF inductif, permettant le chauffage des substrats à l'aide d'une source d'induction plane. Cette structure permet un chauffage et un dépôt uniformes des couches épitaxiales. AIXTRON VP 508GFR utilise une gamme de métaux pour sa source de pulvérisation, avec la possibilité de sources de plasma à couplage inductif (PIC) et de spectroscopie optique d'émission à décharge (GDOES) pour affiner les paramètres de dépôt. Il offre également un système d'injection de gaz pour contrôler avec précision les paramètres de croissance, tels que le niveau et la densité de dopage. VP 508GFR est conçu avec un système logiciel intégré qui offre un accès facile aux conditions du réacteur. Il fournit également un environnement de travail avec différentes capacités multi-tâches, telles que des recettes et des configurations automatisées, un certain nombre de paramètres définis par l'utilisateur, et l'accès à télécommande à vos expériences. Les applications d'AIXTRON VP 508GFR comprennent les matériaux optoélectroniques, les matériaux épitaxiaux et les structures de couches, comme les lasers à émission de surface à cavité verticale (VCSEL), les photodiodes de type PIN, les structures à cascade quantique (QCL) et les VECSEL. C'est un choix idéal pour ceux qui ont besoin de paramètres de dépôt précis et cohérents pour leurs applications optoélectroniques.