Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS 0010-03254 #293763796 à vendre en France

ID: 293763796
Taille de la plaquette: 8"
MCA E-Chuck assembly, 8" Bellows leak: 1 x 10E-9 cc/s, He Helium line leak: 1 x 10E-9 cc/s, He SUS Cover leak: 1 x 10E-9 cc/s, He ESC: Pad dimple height: 3 Microns Depth of groove: 59 microns Luminosity: 160-170 Flatness of WF Zone: 0.04-0.05 µm Cables and resistivity: Resistivity of electrodes: 1-2: 17.8 Ω Resistivity of electrodes: 3-4: 4.9 Ω TC 1: 10.2 Ω TC 2: 8.7 Ω Chucking test (±300 V / Bi-polar type): 600 V 1st(-): 300 V 600 V 2nd(+): 300 V 90° (No sliding).
AMAT/APPLIED MATERIALS 0010-03254 Le réacteur est un équipement avancé d'implantation d'ions conçu pour les procédés de fabrication de semi-conducteurs et les applications connexes de microfabrication. Le système se compose d'une chambre à vide haute avec un ensemble ion-source de précision et un collimateur de faisceau d'ions pour contrôler la direction du faisceau d'ions et la taille des taches. Le faisceau d'ions est accéléré avec une alimentation RF puis focalisé sur un étage d'échantillonnage. La chambre peut être évacuée et activée avec les turbo-pompes intracavités et la vanne de grille. Le réacteur AMAT 0010-03254 contient une technologie source d'ions qui permet de contrôler avec précision un large éventail de paramètres de procédé. Les éléments actifs à haute énergie de la source améliorent la fiabilité, la stabilité du processus et le démarrage rapide, tout en le rendant idéal pour les processus à basse température et à haute énergie. Une décharge électrique stable ionise les espèces sources et utilise une source RF bipolaire pour contrôler l'énergie ionique. Les éléments chauffants de la source atomisent et dissocient précisément les espèces sources, et la vanne de gaz peut être utilisée pour contrôler le débit, la pression et la composition des espèces sources. La propagation énergétique des ions est contrôlée par deux grilles indépendantes. MATÉRIAUX APPLIQUÉS 0010-03254 Le réacteur contient une unité de diagnostic du faisceau, comprenant des balayages anguleux et temporels du vol et des mesures de courant du faisceau extractible pour caractériser le faisceau d'ions. Un étage d'échantillonnage contrôlé par ordinateur en option peut être utilisé pour le positionnement des pièces, permettant le balayage de l'implant et le déplacement de l'échantillon plan X, Y pour un contrôle précis de la dose. La machine contient également une pompe d'extrémité indépendante pour une évacuation rapide. Le multipolaire magnétronique est utilisé pour la focalisation du faisceau et peut être ajusté pour les angles de haute émaille et de basse énergie. 0010-03254 Le réacteur est capable de fonctionner en plusieurs modes, y compris un seul wafer et par lots, et peut être utilisé pour implanter n'importe quelle espèce d'ion. L'outil fournit jusqu'à deux milli-ampères de courant, une tension de polarisation réglable et une plage de température de la source active de 0- 980 ° C L'actif peut accueillir n'importe quelle taille/forme d'échantillon, y compris plusieurs plaquettes, et la pression peut aller de 10-3 à 10-7 torr. L'énergie maximale du faisceau est de 50 à 500 keV et dispose de fonctions avancées de surveillance des processus et de fonctionnement de la machine. AMAT/APPLIED MATERIALS 0010-03254 Le réacteur est un modèle très efficace et avancé qui réalise un large éventail de procédés de fabrication de semi-conducteurs critiques.
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