Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS 0010-13879 #293640053 à vendre en France

AMAT/APPLIED MATERIALS 0010-13879 est un réacteur utilisé pour des procédés avancés de gravure et de dépôt pour la fabrication de semi-conducteurs. Il s'agit d'un réacteur à plaques parallèles, type de réacteur fréquemment utilisé dans la réalisation de puces à mémoire et autres dispositifs semi-conducteurs. En tant que réacteur à plaques parallèles, AMAT 0010-13879 utilise deux électrodes parallèles qui permettent un haut degré de contrôle sur les procédés de dépôt et de gravure. Les deux plaques, espacées d'une certaine distance, peuvent être commandées séparément. Ce type de réacteur fonctionne en faisant passer un faisceau de particules chargées entre les plaques, où le faisceau est ensuite divisé en un plasma d'ions. Ceci permet le dépôt de matériaux sur la plaque supérieure, en utilisant la plaque inférieure comme substrat, tout en gravant la matière sur la plaque inférieure. Ceci permet à l'opérateur de contrôler avec précision la forme, la taille et la composition du matériau déposé ou gravé. APPLIED MATERIALS 0010-13879 est conçu pour être utilisé avec des matériaux à faibles points de fusion et facilement gravés, tels que le silicium et l'arséniure de gallium. Le faisceau d'électrons du réacteur est conçu pour avoir une grande diffusion d'énergie, permettant un processus de gravure et de dépôt exact, ainsi qu'une uniformité accrue dans le contrôle du procédé. De plus, la plaque inférieure est refroidie afin de réduire les dommages causés par le passage du plasma entre les plaques. Ce système de refroidissement permet le fonctionnement le plus efficace du réacteur à plaques parallèles, permettant à l'opérateur d'utiliser des niveaux de puissance élevés sans crainte de surchauffe ou de surcharge du système. Dans l'ensemble, 0010-13879 est un réacteur à plaques parallèles avancé conçu pour la production de semi-conducteurs. Son contrôle précis des processus de dépôt et de gravure, combiné à son système de refroidissement, en fait un choix idéal pour la création de puces mémoire et autres dispositifs semi-conducteurs avancés.