Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS 0010-27983 #293773979 à vendre en France

AMAT/APPLIED MATERIALS 0010-27983 est un réacteur à dépôt chimique en phase vapeur enrichi par plasma (PECVD) couramment utilisé dans les procédés de fabrication de semi-conducteurs. Cet équipement très sophistiqué est conçu pour déposer des couches minces de divers matériaux sur des substrats avec une grande précision et reproductibilité, ce qui en fait un outil essentiel dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs avancés. La chambre du réacteur AMAT 0010-27983 présente un environnement à vide élevé, typiquement compris entre 10 ^ -4 et 10 ^ -6 Torr, afin de minimiser les impuretés et d'assurer un processus de dépôt propre. La chambre est typiquement réalisée en un matériau résistant à la corrosion tel que l'acier inoxydable ou le quartz pour résister aux dures conditions présentes lors du dépôt. Un des composants clés du réacteur APPLIED MATERIALS 0010-27983 est la source de plasma radiofréquence (RF), qui génère une décharge de plasma pour activer les gaz précurseurs et faciliter le processus de dépôt. L'alimentation RF fournit une quantité d'énergie contrôlée à la source de plasma, ionisant les molécules de gaz et créant un environnement réactif pour le dépôt de film. Les gaz précurseurs utilisés dans le réacteur 0010-27983 peuvent varier selon le matériau spécifique déposé. Les gaz précurseurs courants comprennent le silane (SiH4) pour les films à base de silicium, le tétraéthylorthosilicate (TEOS) pour les films de dioxyde de silicium et l'ammoniac (NH3) pour les films de nitrure. Ces gaz sont introduits dans la chambre à travers des régulateurs de débit massique, permettant un contrôle précis du processus de dépôt. Le support de substrat dans le réacteur AMAT/APPLIED MATERIALS 0010-27983 est conçu pour accueillir des plaquettes de différentes tailles, typiquement de 100mm à 300mm de diamètre. Le support peut tourner et basculer pendant le dépôt pour assurer une épaisseur de film uniforme sur la surface de la plaquette. Le contrôle de la température est un autre aspect critique du support de substrat, avec des capacités de chauffage et de refroidissement précises pour optimiser la qualité du film et son adhérence. Le processus de dépôt dans le réacteur AMAT 0010-27983 comprend une série d'étapes, y compris le pré-nettoyage du substrat, le dépôt et le traitement post-dépôt. L'étape de pré-nettoyage élimine tous les contaminants ou oxydes natifs de la surface du substrat, assurant une bonne adhérence du film déposé. L'étape de dépôt implique l'introduction de gaz précurseurs dans la chambre, où ils réagissent et forment un film mince à la surface du substrat. Enfin, l'étape de traitement post-dépôt peut impliquer un recuit ou un traitement plasma pour améliorer les propriétés du film telles que la densité, la douceur et la contrainte. Dans l'ensemble, le réacteur 0010-27983 est un outil polyvalent et fiable pour le dépôt de couches minces dans la fabrication de semi-conducteurs. Sa conception avancée, ses capacités de contrôle précises et son débit élevé le rendent idéal pour un large éventail d'applications, de la recherche fondamentale à la production en grand volume de dispositifs semi-conducteurs de pointe.