Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS 0090-35112 #293746255 à vendre en France

AMAT/APPLIED MATERIALS 0090-35112 est un équipement de réacteur à plasma de pointe conçu pour des procédés avancés de fabrication de semi-conducteurs. Cet outil performant joue un rôle critique dans la fabrication de circuits intégrés en fournissant un environnement contrôlé de dépôt de couches minces, de motifs de gravure et de modification des propriétés des matériaux à l'échelle nanométrique. Au cœur du réacteur se trouve une chambre sophistiquée de génération de plasma où les gaz réactifs sont alimentés pour créer une décharge de plasma. Ce plasma est constitué d'un gaz fortement ionisé avec un mélange d'ions, d'électrons et d'espèces neutres qui interagissent avec la surface du matériau du substrat pour permettre une variété de processus de modification de surface. Le réacteur AMAT 0090-35112 dispose d'un système de vide robuste qui assure le maintien de la chambre à la pression souhaitée pendant le traitement. Cet environnement sous vide est essentiel pour éliminer les contaminants et assurer la pureté des films déposés. L'unité est également équipée de mécanismes avancés de distribution de gaz et de contrôle de débit pour réguler avec précision la composition et le débit des gaz de procédé. L'un des composants clés du réacteur est la source d'énergie radio-fréquence (RF), qui est utilisée pour générer et maintenir la décharge de plasma. La puissance RF est soigneusement ajustée pour optimiser les propriétés plasmatiques pour des exigences de processus spécifiques, comme le dépôt de film, la gravure ou le nettoyage de surface. Le réacteur a également de multiples configurations d'électrodes pour adapter l'uniformité du plasma et la répartition de l'énergie sur la surface du substrat. La machine de régulation de température dans le réacteur permet une modulation précise de la température du substrat lors du traitement. Cette capacité est cruciale pour optimiser la qualité du film, l'adhérence et les niveaux de contraintes. L'outil peut chauffer le substrat à des températures élevées pour les procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou le refroidir pour les applications de dépôt physique en phase vapeur (PVD). Le réacteur est équipé de fonctions avancées de surveillance et de contrôle des processus pour garantir des performances cohérentes et fiables. Les diagnostics en temps réel, la spectroscopie plasma et les capacités de détection du point d'extrémité permettent aux opérateurs de surveiller les paramètres du processus et d'effectuer des ajustements à la volée pour maintenir des propriétés de film de haute qualité. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur 0090-35112 est conçu en tenant compte de l'évolutivité et de la polyvalence, ce qui permet une intégration facile dans les flux de travail existants de fabrication de semi-conducteurs. L'atout peut accueillir une variété de tailles et de matériaux de substrat, ce qui le rend adapté à un large éventail d'applications dans l'industrie des semi-conducteurs, y compris les dispositifs logiques, les dispositifs de mémoire et les technologies d'emballage avancées. Dans l'ensemble, le réacteur 0090-35112 représente une solution de pointe pour la fabrication de semi-conducteurs, combinant un contrôle de précision, des capacités de processus avancées et des performances robustes pour répondre aux exigences exigeantes de la production moderne de circuits intégrés.