Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS 0190-23942 #293662553 à vendre en France

ID: 293662553
ESC Chuck Thickness of insulating layer: 302 µm Surface roughness: 0.5510.15 µm Dielectric strength voltage: 2kV/60sec Warp of the chucking surface: ≤ 30 µm Coaxiality: ≤ 0.003" Inner heater resistance: 15Ω ± 15% Outer heater resistance: 16Ω ± H5% Insulating resistance: ≥1000MQ at DC 1000V Helium leak rate: ≤ 2.5 sccm at DC- 1800V Dechucking time: ≤ 5 seconds Thermal uniformity: 65 points, < 8°C by Integral wafer.
AMAT/APPLIED MATERIALS 0190-23942 est un équipement de réacteur à dépôt chimique en phase vapeur (LPCVD) vertical, monobloc, à pression atmosphérique, par lots. Il est idéal pour le traitement du silicium, du siliciure, du nitrure, du silicium polycristallin, de l'oxyde et d'autres films épitaxiés. Ce système dispose d'un traitement rapide et efficace, fournissant des taux de dépôt élevés avec une excellente uniformité. Il est équipé d'une chambre à quartz de type cloche qui assure une cohérence et un contrôle supérieurs du débit de gaz de dépôt. Le réacteur dispose également d'une tête de douche cylindrique agrandie avec un collecteur à quatre stations de distribution de gaz qui aide à répartir uniformément les gaz du réacteur dans toutes les zones de la plaquette. AMAT 0190-23942 est équipé de quatre entrées de gaz, permettant l'acheminement simultané de gaz de procédé, permettant un dépôt de film rapide et précis. Il est capable de se déposer à des températures allant de 400 ° C à 1250 ° C et des pressions aussi faibles que 0,5 Torr. De plus, l'unité de polarisation du chauffage in situ assure la précision de la température et la cohérence du dépôt en réglant le chauffage commandé en tension. APPLIED MATERIALS 0190-23942 utilise une unité de serrure automatisée avec deux chambres indépendantes pour faciliter le transport et la manipulation des plaquettes. Une source de paroi froide à cathode de mercure automatisée fournit des gaz réactifs pour le dépôt. De plus, la machine est équipée d'un régulateur de débit massique qui maintient des débits de gaz précis et un contrôle précis du processus de dépôt. 0190-23942 est idéal pour le traitement à haut débit avec son temps de chauffage et de refroidissement rapide, produisant LT (basse température) matériau cristallin dans de courtes séries de fabrication. De plus, il est équipé d'un outil de surveillance de la sécurité et de l'environnement qui surveille le débit d'air, les niveaux d'oxygène, la température et la pression, contribuant ainsi à assurer la sécurité et la fiabilité continues des opérations. Cet actif est conçu pour traiter jusqu'à 8 "wafers sur deux niveaux en utilisant une seule approche de wafer. Le modèle comporte également des capacités avancées de métrologie de processus, y compris une analyse non destructive où l'intégrité du substrat est maintenue. Dans l'ensemble, AMAT/APPLIED MATERIALS 0190-23942 est un équipement de réacteur LPCVD fiable et efficace qui est capable de produire des films épitaxiés de haute qualité et uniformes. Elle est particulièrement bien adaptée aux applications du silicium, du siliciure, du nitrure, du silicium polycristallin, de l'oxyde et d'autres films.
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