Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS 1600 #9195141 à vendre en France
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ID: 9195141
PECVD System
(4) Chambers
Gas box
Gas distribution cabinet
(4) Acid cabinets
Flammable cabinet
(2) Stainless steel tables
RASCO WTC-2000RS-AKT Water chiller
AMAT RFPP RF20 Power source / Supplies rack
Capable of transferring: 300x300 mm Square glass substrates
With single loader module to load lock chamber
13-Slots load lock chamber cassette
IMI Using chamber B
With RF power
Wafer handler
Spare parts
Manuals
Power supply: 208 V, 60 Hz, 300 Amps, 3 Phase
1997 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS/AKT 1600 est un équipement de réacteur à dépôt chimique en phase vapeur enrichi par plasma (PECVD) utilisé pour le dépôt de couches minces, telles que des diélectriques, des matériaux conducteurs et des matériaux pour des applications optiques. Le système est conçu pour fonctionner jusqu'à 200 W de puissance RF, permettant le dépôt de couches minces avec d'excellentes caractéristiques. Le procédé PECVD est utilisé pour déposer des couches minces de silicium polycristallin, de silicium amorphe, de nitrure de silicium et d'oxynitrures de silicium. L'unité utilise un module de gaz source RF et combine des procédés plasmatiques et thermiques pour déposer des couches minces uniformes et très conformes sur de grandes surfaces de substrat. La taille du substrat peut atteindre jusqu'à 300 mm de diamètre. De plus, les flux de gaz réactifs sont réglables pour permettre un contrôle précis de la croissance des couches minces. AKT 1600 contient une antenne RF qui est utilisée pour générer le plasma utilisé dans le processus de dépôt. La machine est alimentée par deux générateurs RF de forte puissance de 200 W. La source RF externe est reliée à la chambre intérieure par une bobine RF qui sert de liaison de communication entre le générateur RF et la chambre à plasma. La chambre à plasma de l'outil est conçue pour abriter plusieurs substrats pour le dépôt multi-zones. La chambre est fermée par un bocal en quartz qui est utilisé pour fournir un environnement inerte pour le processus de dépôt du plasma. Le bocal comporte un actif d'entrée de gaz réglable qui est utilisé pour contrôler le processus de gravure/dépôt en contrôlant le débit des gaz sources. Pour le contrôle de la température, le modèle est équipé d'un élément chauffant bi-zone à haute température. La zone de basse température est utilisée pour initier et stabiliser le processus de dépôt, tandis que la zone de haute température est utilisée pour optimiser le procédé. AMAT AKT1600 dispose également d'un équipement d'échappement de gaz réglable qui est utilisé pour contrôler la pression à l'intérieur de la chambre et aider à l'élimination des sous-produits du procédé. Dans l'ensemble, APPLIED MATERIALS AKT1600 est un système robuste PECVD qui offre aux utilisateurs un moyen fiable, polyvalent et efficace de déposer des films minces de qualité. Avec son unité d'admission et d'échappement des gaz réglables, ses générateurs RF de grande puissance et son élément chauffant à deux zones, les utilisateurs peuvent facilement contrôler le processus de dépôt afin de produire des couches minces avec d'excellentes caractéristiques pour un large éventail d'applications.
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