Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS AMP-3300 #9201707 à vendre en France
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ID: 9201707
PECVD System
Silicon nitride / silicon dioxide dielectric films: Plasma-enhanced chemical vapor deposition system
Low-temperature
Four controlled process
With reactor process chamber:
Radio frequency (RF) power
Chamber pressure
Chamber temperature / Gas flows
Plasma energy field is generated by RF power in the process chamber
Evacuated with a vacuum roughing pump / Motor-driven roots blower
Screwless electrode
Dual gas manifold
42 Pieces of 3-inch wafers
22 Pieces of 4-inch wafers
16 Pieces of 5-inch wafers
Deposition Rate: 300 A/Min
Temperature capability: Up to 300°C
RF Power: Up to 1500 W
Process Gases:
Oxide deposition: N2O & SiH4
Nitride deposition: SiH4, NH3, N2
Controller with real time process data collection / Control
User access: Password control
Complete system / Process parameters: Customer programming recipe
Process parameters recorded on system computer
Power Supply: Closed-loop RF
Water Pressure: 30-80 psig
Standard flow at 3 gpm (11.4 liters/minute) filtered to 100 to 125 microns.
AMP-3300, 68″
Dimensions:
Width: 173 cm x 37″
Depth: 93 cm x 51″
Height: 129 cm
Water temperature:
Maximum inlet temperature: 77 F (25°C)
Minimum: 68 F (20°C).
Water resistivity: >20,000 ohms cm
Ambient air relative humidity: 40% or less
Process gases:
N2 at 30 psig
Delivered at 20-30 psig
N2 Pump purge: 30 Liters / Minute at psig to dilute residual reactant gases
Pneumatic air: 80-100 psig
Exhaust: 2-1/8-inch (54 mm) O.D.
Mechanical pump with proper purging to dilute residual reactant gases
Power:
208 VAC +/-5%, 3 Ph, 80 Amps, 60 Hz, 5-wire wye
380 VAC +/-5%, 3 Ph, 50 Amps, 50 Hz, 5-wire wye.
Le réacteur AMAT/APPLIED MATERIALS AMP-3300 est un équipement conçu pour effectuer des processus thermiques et physiques de dépôt en phase vapeur (PVD). Il dispose d'une combinaison unique d'une chambre de traitement thermique rapide (RTP) de grande surface, d'une chambre de transfert de vide et d'un système porteur de plaquettes. La chambre RTP est utilisée pour chauffer et refroidir rapidement les plaquettes lors du dépôt. Il fonctionne dans la gamme allant jusqu'à 600 ° C et a une précision de consigne de température de +/- 0,5 ° C La chambre de transfert de vide permet de transférer des plaquettes dans et hors de la chambre RTP sous vide. Les systèmes porte-plaquettes assurent un contrôle précis du processus de chargement et de déchargement des plaquettes. AMAT AMP-3300 dispose également d'une unité de contrôle avancée. Cela permet d'obtenir des résultats prévisibles et reproductibles. Il dispose d'un module de traitement plasma, qui peut être ajouté à l'emballage standard pour améliorer encore le processus de fabrication. Ce module a la capacité de nettoyer les surfaces dures, de les graver et/ou de les activer. Il permet une vitesse de dépôt plus élevée et une homogénéité améliorée des plaquettes. Lors du dépôt de matériaux sur des plaquettes, les MATÉRIAUX APPLIQUÉS AMP 3300 sont capables de délivrer des couches uniformes sur l'ensemble de la plaquette. Il dispose également d'une machine à faible émission de COV, ce qui réduit les émissions de gaz dégagés par le procédé. L'utilisation de AMP 3300 pour les procédés de fabrication de semi-conducteurs est facile. Son puissant outil de contrôle permet à l'utilisateur de personnaliser les paramètres pour chaque processus. De plus, ses composants optiques de haute qualité permettent à l'utilisateur de suivre le processus en temps réel. En conclusion, AMAT AMP 3300 est un outil efficace et fiable qui est une excellente solution pour les procédés PVD dans l'industrie de la fabrication de semi-conducteurs. Il dispose d'un positionneur de haute précision, permettant des séquences de dépôt précises sur toute la zone de la plaquette. Son module de traitement plasma augmente la vitesse du processus et réduit l'uniformité des résultats. En outre, le puissant atout de contrôle assure que chaque processus est précisément adapté aux résultats souhaités.
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