Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS AMP-3300 #9201707 à vendre en France

ID: 9201707
PECVD System Silicon nitride / silicon dioxide dielectric films: Plasma-enhanced chemical vapor deposition system Low-temperature Four controlled process With reactor process chamber: Radio frequency (RF) power Chamber pressure Chamber temperature / Gas flows Plasma energy field is generated by RF power in the process chamber Evacuated with a vacuum roughing pump / Motor-driven roots blower Screwless electrode Dual gas manifold 42 Pieces of 3-inch wafers 22 Pieces of 4-inch wafers 16 Pieces of 5-inch wafers Deposition Rate: 300 A/Min Temperature capability: Up to 300°C RF Power: Up to 1500 W Process Gases: Oxide deposition: N2O & SiH4 Nitride deposition: SiH4, NH3, N2 Controller with real time process data collection / Control User access: Password control Complete system / Process parameters: Customer programming recipe Process parameters recorded on system computer Power Supply: Closed-loop RF Water Pressure: 30-80 psig Standard flow at 3 gpm (11.4 liters/minute) filtered to 100 to 125 microns. AMP-3300, 68″ Dimensions: Width: 173 cm x 37″ Depth: 93 cm x 51″ Height: 129 cm Water temperature: Maximum inlet temperature: 77 F (25°C) Minimum: 68 F (20°C). Water resistivity: >20,000 ohms cm Ambient air relative humidity: 40% or less Process gases: N2 at 30 psig Delivered at 20-30 psig N2 Pump purge: 30 Liters / Minute at psig to dilute residual reactant gases Pneumatic air: 80-100 psig Exhaust: 2-1/8-inch (54 mm) O.D. Mechanical pump with proper purging to dilute residual reactant gases Power: 208 VAC +/-5%, 3 Ph, 80 Amps, 60 Hz, 5-wire wye 380 VAC +/-5%, 3 Ph, 50 Amps, 50 Hz, 5-wire wye.
Le réacteur AMAT/APPLIED MATERIALS AMP-3300 est un équipement conçu pour effectuer des processus thermiques et physiques de dépôt en phase vapeur (PVD). Il dispose d'une combinaison unique d'une chambre de traitement thermique rapide (RTP) de grande surface, d'une chambre de transfert de vide et d'un système porteur de plaquettes. La chambre RTP est utilisée pour chauffer et refroidir rapidement les plaquettes lors du dépôt. Il fonctionne dans la gamme allant jusqu'à 600 ° C et a une précision de consigne de température de +/- 0,5 ° C La chambre de transfert de vide permet de transférer des plaquettes dans et hors de la chambre RTP sous vide. Les systèmes porte-plaquettes assurent un contrôle précis du processus de chargement et de déchargement des plaquettes. AMAT AMP-3300 dispose également d'une unité de contrôle avancée. Cela permet d'obtenir des résultats prévisibles et reproductibles. Il dispose d'un module de traitement plasma, qui peut être ajouté à l'emballage standard pour améliorer encore le processus de fabrication. Ce module a la capacité de nettoyer les surfaces dures, de les graver et/ou de les activer. Il permet une vitesse de dépôt plus élevée et une homogénéité améliorée des plaquettes. Lors du dépôt de matériaux sur des plaquettes, les MATÉRIAUX APPLIQUÉS AMP 3300 sont capables de délivrer des couches uniformes sur l'ensemble de la plaquette. Il dispose également d'une machine à faible émission de COV, ce qui réduit les émissions de gaz dégagés par le procédé. L'utilisation de AMP 3300 pour les procédés de fabrication de semi-conducteurs est facile. Son puissant outil de contrôle permet à l'utilisateur de personnaliser les paramètres pour chaque processus. De plus, ses composants optiques de haute qualité permettent à l'utilisateur de suivre le processus en temps réel. En conclusion, AMAT AMP 3300 est un outil efficace et fiable qui est une excellente solution pour les procédés PVD dans l'industrie de la fabrication de semi-conducteurs. Il dispose d'un positionneur de haute précision, permettant des séquences de dépôt précises sur toute la zone de la plaquette. Son module de traitement plasma augmente la vitesse du processus et réduit l'uniformité des résultats. En outre, le puissant atout de contrôle assure que chaque processus est précisément adapté aux résultats souhaités.
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