Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 200 EPI #9384326 à vendre en France

AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 200 EPI
ID: 9384326
Style Vintage: 2021
PECVD System, 8" Chambers: Chamber A: ATM Epi Chamber B: ATM Epi Chamber C: ATM Epi Chamber F: Single slot cooldown STD Transfer Wide body loadlock System voltage: 480V Frequency: 60Hz Transformer capacity: 480V to 208V / 300Amps CB1 Current rating: 300 Amps Leak detectors: Gas panel, H2 Mainframe exhaust: H2 Clean room monitor: TFT Stand alone Maintenance room monitor: TFT Stand alone Gas panels: Gas panel type: Configuable FUJIKIN Gas panel exhaust position: CH-A (Only for configurable type) Platter mixer Platter chamber-A Platter chamber-B Platter chamber-C (2) Mixed dopants (1) Silicon source Fujikin FCST Main H2: 100 slm Slit H2: 30 slm Minimum HCl: 1 slm Maximum HCl: 30 slm TCS: 20 slm Dope (INJ): 300 sccm Dope mixer (SRC): 500 sccm Dope mixer (DIL H2): 20 slm Pressure transducer (gauge) range: 0-45 Cabinet exhaust switch type: AMAT Mainframe: EPICREW Blower and heat exchanger Blower voltage: 480 VAC YASKAWA Variable speed blower Mainframe cabinet exhaust: Channel A side AMAT Lamp fuse tray and fuses AMAT Lamp C/B AMAT Lamp contactor AMAT Lamp harness assembly AMAT Gas lines (From gas panel to floor plate) AMAT Chamber tray AMAT Facilities water supply/Return connections Stainless steel water fittings Remote frame: CB1 Current rating: 300 Amp Umbilical cable length: 25 Feet V452 SBC Board AMAT Video card SSD 1 GB Hard Disk Drive (HDD) Chamber interface board: Chamber A, B and C AMAT SCR Driver AMAT SCR C/B AMAT SCR Contactor with fuses AMAT H/A Breaker to contactor Load lock chambers: Universal platform Wide body Wafer mapping Wafer slide detect Fast backfill Cooldown chamber: Type: Non-contact Center finder : On-the-fly N2 Purge restrictor size: 5 slm Transfer chamber: Transfer chamber lid hoist Robot type: HP AMAT Slit valve N2 Purge restrictor size: 5 slm x 3 Chamber A: Wafer sizes: 8" Standard process: ATM Ushio -B3G Lamps Rotation rev.R3.4 Exhaust line cone baffles (ATM) Reflector cones SWAGELOK Isolation valve Chamber B: Wafer size: 8" Standard process (ATM) USHIO B3G Lamps Rotation rev.R3.4 Reflector cones SWAGELOK Isolation valve Chamber C: Wafer size: 8" Standard process (ATM) USHIO B3G Lamps Rotation rev.R3.4 Reflector cones SWAGELOK Isolation valve Pallets for FUJIKIN: Model / Positions / Process gas / MFC Size FCST / 1 / H2 / 20000 FCST / 3 / H2 / 500 FCST / 5 / HC1-Hi / 30000 FCST / 6 / HC1-Lo / 1000 FCST / 7 / H2 / 100000 FCST / 8 / H2 / 30000 2021 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 200 EPI (Epitaxial Process Integration) L'équipement est un réacteur de traitement sous vide au niveau des plaquettes pour assurer le dépôt épitaxial de couches sur des plaquettes semi-conductrices. Ce réacteur de fabrication de plaquettes est spécifiquement conçu pour augmenter les performances, la fiabilité et le débit des films diélectriques, des films métalliques et des matériaux semi-conducteurs composés (tels que l'arséniure de gallium, l'arséniure de gallium d'aluminium et les composés à base d'indium). Il convient à un large éventail d'industries, y compris la microélectronique, l'optoélectronique, les télécommunications et la bioélectronique. Le système a été conçu pour surmonter les difficultés de maintien de taux de croissance élevés tout en maintenant une répartition uniforme du matériau déposé. Le procédé offre un support pour plusieurs couches de silicium polycristallin et de dioxyde de silicium et permet la croissance de couches ultra-minces et des opérations épitaxiales multi-orientation. Il offre également des options de traitement thermique à haute température, comme le recuit et la canalisation. AMAT Centura 200 EPI utilise une source d'excitation radiofréquence (RF) pour atteindre des taux de croissance de haut débit. L'unité utilise une chambre de chauffage cylindrique monobloc, dans laquelle plusieurs petits générateurs indirects de plasma créent un champ électrique uniforme le long de la direction de la chambre. Le champ électrique uniforme et le couplage RF à haut rendement rendent les matériaux appliqués Centura 200 EPI adaptés aux processus à basse et haute température. La machine est également très efficace en termes de consommation d'énergie et est capable d'atteindre de faibles densités de nucléation, avec une forte sélectivité de dépôt. Grâce à la commande logicielle jointe, il est possible d'obtenir une homogénéité et une stabilité de couche avec une très faible formation de sous-produits. En outre, Centura 200 EPI peut être combiné avec d'autres systèmes de dépôt dans une configuration en grappe pour les substrats à haute densité. L'outil est conçu avec une architecture modulaire qui permet des options d'automatisation, y compris la manipulation de plaquettes à base de robot. Il est coulé dans un boîtier compact et robuste, ce qui le rend adapté à l'intégration dans les flux de travail en salle blanche. AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 200 EPI est alimenté par un actif sous vide robuste et offre un contrôle total sur la température des plaquettes et les paramètres de processus. Dans l'ensemble, le modèle AMAT Centura 200 EPI offre une solution de dépôt épitaxial hautement fiable et adaptée à un large éventail d'applications. Sa consommation énergétique efficace et son architecture modulaire en font le choix idéal pour les fabricants d'appareils qui exigent des performances fiables et cohérentes.
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