Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 200 EPI #9384326 à vendre en France
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ID: 9384326
Style Vintage: 2021
PECVD System, 8"
Chambers:
Chamber A: ATM Epi
Chamber B: ATM Epi
Chamber C: ATM Epi
Chamber F: Single slot cooldown
STD Transfer
Wide body loadlock
System voltage: 480V
Frequency: 60Hz
Transformer capacity: 480V to 208V / 300Amps
CB1 Current rating: 300 Amps
Leak detectors: Gas panel, H2
Mainframe exhaust: H2
Clean room monitor: TFT Stand alone
Maintenance room monitor: TFT Stand alone
Gas panels:
Gas panel type: Configuable FUJIKIN
Gas panel exhaust position: CH-A (Only for configurable type)
Platter mixer
Platter chamber-A
Platter chamber-B
Platter chamber-C
(2) Mixed dopants
(1) Silicon source
Fujikin FCST
Main H2: 100 slm
Slit H2: 30 slm
Minimum HCl: 1 slm
Maximum HCl: 30 slm
TCS: 20 slm
Dope (INJ): 300 sccm
Dope mixer (SRC): 500 sccm
Dope mixer (DIL H2): 20 slm
Pressure transducer (gauge) range: 0-45
Cabinet exhaust switch type: AMAT
Mainframe:
EPICREW Blower and heat exchanger
Blower voltage: 480 VAC
YASKAWA Variable speed blower
Mainframe cabinet exhaust: Channel A side
AMAT Lamp fuse tray and fuses
AMAT Lamp C/B
AMAT Lamp contactor
AMAT Lamp harness assembly
AMAT Gas lines (From gas panel to floor plate)
AMAT Chamber tray
AMAT Facilities water supply/Return connections
Stainless steel water fittings
Remote frame:
CB1 Current rating: 300 Amp
Umbilical cable length: 25 Feet
V452 SBC Board
AMAT Video card
SSD 1 GB Hard Disk Drive (HDD)
Chamber interface board: Chamber A, B and C
AMAT SCR Driver
AMAT SCR C/B
AMAT SCR Contactor with fuses
AMAT H/A Breaker to contactor
Load lock chambers:
Universal platform
Wide body
Wafer mapping
Wafer slide detect
Fast backfill
Cooldown chamber:
Type: Non-contact
Center finder : On-the-fly
N2 Purge restrictor size: 5 slm
Transfer chamber:
Transfer chamber lid hoist
Robot type: HP
AMAT Slit valve
N2 Purge restrictor size: 5 slm x 3
Chamber A:
Wafer sizes: 8"
Standard process: ATM
Ushio -B3G Lamps
Rotation rev.R3.4
Exhaust line cone baffles (ATM)
Reflector cones
SWAGELOK Isolation valve
Chamber B:
Wafer size: 8"
Standard process (ATM)
USHIO B3G Lamps
Rotation rev.R3.4
Reflector cones
SWAGELOK Isolation valve
Chamber C:
Wafer size: 8"
Standard process (ATM)
USHIO B3G Lamps
Rotation rev.R3.4
Reflector cones
SWAGELOK Isolation valve
Pallets for FUJIKIN:
Model / Positions / Process gas / MFC Size
FCST / 1 / H2 / 20000
FCST / 3 / H2 / 500
FCST / 5 / HC1-Hi / 30000
FCST / 6 / HC1-Lo / 1000
FCST / 7 / H2 / 100000
FCST / 8 / H2 / 30000
2021 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 200 EPI (Epitaxial Process Integration) L'équipement est un réacteur de traitement sous vide au niveau des plaquettes pour assurer le dépôt épitaxial de couches sur des plaquettes semi-conductrices. Ce réacteur de fabrication de plaquettes est spécifiquement conçu pour augmenter les performances, la fiabilité et le débit des films diélectriques, des films métalliques et des matériaux semi-conducteurs composés (tels que l'arséniure de gallium, l'arséniure de gallium d'aluminium et les composés à base d'indium). Il convient à un large éventail d'industries, y compris la microélectronique, l'optoélectronique, les télécommunications et la bioélectronique. Le système a été conçu pour surmonter les difficultés de maintien de taux de croissance élevés tout en maintenant une répartition uniforme du matériau déposé. Le procédé offre un support pour plusieurs couches de silicium polycristallin et de dioxyde de silicium et permet la croissance de couches ultra-minces et des opérations épitaxiales multi-orientation. Il offre également des options de traitement thermique à haute température, comme le recuit et la canalisation. AMAT Centura 200 EPI utilise une source d'excitation radiofréquence (RF) pour atteindre des taux de croissance de haut débit. L'unité utilise une chambre de chauffage cylindrique monobloc, dans laquelle plusieurs petits générateurs indirects de plasma créent un champ électrique uniforme le long de la direction de la chambre. Le champ électrique uniforme et le couplage RF à haut rendement rendent les matériaux appliqués Centura 200 EPI adaptés aux processus à basse et haute température. La machine est également très efficace en termes de consommation d'énergie et est capable d'atteindre de faibles densités de nucléation, avec une forte sélectivité de dépôt. Grâce à la commande logicielle jointe, il est possible d'obtenir une homogénéité et une stabilité de couche avec une très faible formation de sous-produits. En outre, Centura 200 EPI peut être combiné avec d'autres systèmes de dépôt dans une configuration en grappe pour les substrats à haute densité. L'outil est conçu avec une architecture modulaire qui permet des options d'automatisation, y compris la manipulation de plaquettes à base de robot. Il est coulé dans un boîtier compact et robuste, ce qui le rend adapté à l'intégration dans les flux de travail en salle blanche. AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 200 EPI est alimenté par un actif sous vide robuste et offre un contrôle total sur la température des plaquettes et les paramètres de processus. Dans l'ensemble, le modèle AMAT Centura 200 EPI offre une solution de dépôt épitaxial hautement fiable et adaptée à un large éventail d'applications. Sa consommation énergétique efficace et son architecture modulaire en font le choix idéal pour les fabricants d'appareils qui exigent des performances fiables et cohérentes.
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