Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 4.0 Radiance #9070281 à vendre en France
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

Vendu
ID: 9070281
Taille de la plaquette: 12"
Style Vintage: 2003
Platform RTP systems, 12"
Single Wafer Processing
Multi-chambers
Position A, B, C: 12" RTP (RPO/RTO)
RTN Capability
Software Legacy B4.60_30
Computer NT 4.0
Kawasaki Robot FI
Aligner
Single Blade MF Robot
WRLD Controller
Mainframe N2 gas flow MFC
Chambers:
Chamber type: Radiance RTP
Gas config. (sccm)=MFC full scale
N2 Frame(20000)/NH3(30000)
N2O(30000)/He(5000)/N2 Low(500)
O2 Low(10000)/O2(50000)/N2(50000)
N2 BOT(50000)/He BOT(50000)/N2 MAG(100000)
Chambers A, B, D:
Gas stick 1 - N2-Frame, 20slm
Gas stick 2 - NH3, 30slm
Gas stick 3 - N2O, 30slm
Gas stick 4- none
Gas stick 5 - HE, 5slm
Gas stick 6 - N2Low, 500cc
Gas stick 7 - O2 Low, 10slm
Gas stick 8 - O2, 50slm
Gas stick 9 - N2, 50slm
Gas stick 10 -N2BOT, 50slm
Gas stick 11 - HEBOT, 50slm
Gas stick 12 - N2-MAG, 100slm
Missing parts:
Buffer Blade, 0200-02527
Ch-D (HDA), 0190-38992
Currently in storage
2003 vintage.
AMAT Centura 4.0 Radiance est un réacteur avancé à dépôt chimique thermique en phase vapeur (CVD) monobloc. Il est conçu pour la production de films d'oxyde, de nitrure et de métal avec une homogénéité supérieure, une uniformité de dimension critique et une adhésion. Le Centura 4.0 Radiance est un choix idéal pour la fabrication avancée de dispositifs semi-conducteurs. Le réacteur dispose d'un mandrin horizontal prêt CVD avec un loadlock et une chambre de cartographie des plaquettes. Cela permet un chargement et un déchargement efficaces des substrats, ainsi qu'un contrôle précis des équipements. La chambre de cartographie du loadlock et du wafer offre aux utilisateurs un contrôle et une sécurité supplémentaires, tandis qu'une orientation horizontale d'un seul wafer augmente l'uniformité et réduit la contamination. La chambre est construite à partir d'un design tout-céramique, qui est ignifuge et nécessite un entretien époxy minimal. Le Centura 4.0 Radiance est construit avec une chambre de traitement Smartwall avec un système d'injection de gaz et la technologie de réduction du volume exposé au plasma (PVR) pour fournir un flux de processus CVD unifié pour tous les processus exécutés. Cette unité unique permet à l'utilisateur de contrôler les conditions de la chambre depuis le débit de gaz jusqu'au profil de pression et à la température. La machine d'injection PVR assure un contrôle total des gaz réactifs, assurant ainsi une uniformité et des résultats cohérents. De plus, le Centura 4.0 Radiance dispose d'une Etch Ready avec l'outil CoolFlush RF, qui assure l'élimination uniforme des oxydes natifs et le nettoyage conforme. Le réacteur intègre également un logiciel de contrôle de processus Recipe Edition 4.0 avec des affichages visuels et des diagnostics conviviaux. Le logiciel comprend des fonctionnalités telles que les métriques de processus pour surveiller les recettes et les chronomètres pour suivre les délais de traitement. Le logiciel fournit un contrôle et une gestion complets du processus de dépôt, de la configuration du chargement et du programme à l'exécution des recettes et à l'analyse des données, assurant la qualité du produit. Dans l'ensemble, MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur CVD à rayonnement Centura 4.0 est une solution efficace, fiable et économique pour le traitement à haute température et à court terme des oxydes, des nitrures et des métaux. Il offre une homogénéité supérieure dans la dimension critique et la résistance de la feuille avec une excellente adhérence et une excellente couverture d'étape. Cela en fait un choix idéal pour les procédés avancés de fabrication de dispositifs semi-conducteurs.
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