Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 4.0 Radiance #9072014 à vendre en France

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ID: 9072014
Taille de la plaquette: 12"
Style Vintage: 2002
Platform RTP system, 12" Chambers: A, B, D: Chamber type: Radiance RTP with ISSG Gas config. (sccm)=MFC full scale N2 Frame(50000)/H2 Low(10000)/H2(20000)/O2 Low(1000)/O2(50000)/N2(50000)/N2 BP(50000)/HE BP(50000)/N2 MLV(100000) Modifications: Ch-D Expansion, Chamber added Ch-D He Line additional remodeling, wafer cooling capacity improvement Missing parts: RTC CPU Board(Ch-A,B,D), 0190-28454 Electromagnetic valve unit(LLK-A), 0190-13033 Lamp Head Assy(Ch-A), 0040-88855 Lamp Head Assy(Ch-B), 0040-88855 Lamp Head Assy(Ch-D), 0040-88855 Lamp Power Face Board(Ch-A), 0100-01700 LFD Board(Ch-A), 0100-01973 Lamp Head Supply Water Line Pyrometer Set(Ch-A), 0010-18024 Pyrometer Set(Ch-B), 0010-18024 Pyrometer Set(Ch-D), 0010-18024 DC Power Supply(Ch-A), 1140-00187 ISO Valve(Ch-A) Leak Port Manual Valve(Ch-A) NSK Driver Lamp Head Vac Line Valve(Ch-A,D) Lift Pin (Ch-A,D), 0200-01942, Lamp Head Hose (Ch-D) Rotor Bottom Chamber Over Temp Sensor (Ch-D) Xfer OTF Sensor BANK4 (Buffer) Currently in storage 2002 vintage.
AMAT Centura 4.0 Radiance est un équipement de dépôt haute performance conçu pour des applications avancées de fabrication de semi-conducteurs. Ce réacteur offre un contrôle ultra précis des procédés, une productivité maximale et une flexibilité exceptionnelle pour une qualité supérieure des appareils et des produits, et un rendement maximal des investissements. Le Centura 4.0 Radiance est équipé de technologies de procédé avancées, y compris une source MOCVD de zone flottante, plusieurs sources de plasma à distance, gravure intégrée, in situ et capacité de métrologie hors de la chambre. Le réacteur présente également une cryogénie à basse pression pour des dépôts de haute précision sur des surfaces de substrat avec uniformité répartie, et des débits élevés pour une plus grande productivité. La source MOCVD de la zone flottante est conçue pour un dopage de haute précision à une résolution ± 5 μ m pour un dépôt de haute qualité et pour une uniformité quasi parfaite de l'appareil sur un substrat. Cette technologie de gravure d'oxyde combine une grande flexibilité, sélectivité et homogénéité en profondeur pour une gamme d'applications de dépôt de dispositifs semi-conducteurs. Des températures élevées de traitement du quartz assurent des profils optimaux de dispositifs en silicium avec moins de défauts. Les sources de plasma à distance disposent d'une conception innovante, hautement configurable et mono-module pour réduire les coûts et les besoins de maintenance. Cette conception ne nécessite pas d'étanchéité interne au gaz, ce qui réduit la complexité du processus et réduit les temps d'arrêt. Le système de métrologie de caractérisation électrique en chambre in situ permet des mesures plus rapides, réduisant les temps de cycle pour une excellente précision. Cette unité de métrologie spectroscopique avancée peut caractériser des appareils jusqu'à une taille de 100nm et fournir des données quantitatives de processus à des tensions de polarisation plus faibles. La machine de métrologie hors-CEM accélère le temps de mesure jusqu'à 3x, et augmente la précision de test jusqu'à 10x par rapport aux techniques traditionnelles de radiographie. Le Centura 4.0 Radiance est conçu pour des processus à très haut débit pour la production d'appareils de qualité supérieure. Un objectif haute vitesse couplé à un contrôle numérique optimise la vitesse de balayage du substrat pour une plus grande efficacité, tandis qu'une conception compacte élimine la nécessité d'une séquence séparée avant et après le vide, ce qui permet des temps de cycle plus rapides. Le réacteur est également équipé de Core Control, un outil intégré de gestion des données wafer-by-wafer qui assure la surveillance et la déclaration des processus en temps réel.
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