Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 Epi #164775 à vendre en France

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ID: 164775
Reactor ATM 2 Chamber configuration AC Rack: 3 Phase, 208 V, 400 A CB1 Trip unit: 500 A GFCI option: Yes Water leak detect option: Yes AccuSETT controller: Yes (3 channel) 5 Phase controller: Yes Loadlock: Type: Narrow body Wafer mapping: Yes Wafer slide detect option: Yes Baratron: MKS Transfer chamber: Robot type: HP Center finder: OTF Slit valve plate: Insert O-ring type Col down chamber: Yes (#F position only) Robot blade: Quartz Process chamber (2 Chambers): Chamber typeL: EPI ATM Susceptor: 0200-01932 Pre heat ring: 0200-35081 Susceptor support shaft: 0200-00412 Wafer lift shaft: 0200-00412 Upper dome: 0200-35084 Lower dome: 0200-35042 Temp pyrometer: (3ea) with AUX Baratron: 1000 Torr AMV: (2ea) Inner/outer Blower type: VSB Blower motor: Baldor Gas panel: MFC Unit 1660 ETC: Umbilical cable: 55 Ft Transformer: TR: 480/208V, 130 kVA 2000 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 Epi est un équipement avancé de dépôt par plasma. Il s'agit d'un réacteur de type batch, couramment utilisé pour le dépôt de matériaux avancés tels que le silicium, le germanium et les hétérostructures silicium-germanium pour la fabrication de circuits intégrés. L'AMAT Centura 5200 Epi dispose d'une configuration de substrat verticale et horizontale leader dans l'industrie, permettant le plus haut niveau d'évolutivité et de flexibilité dans la production. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le Centura 5200 Epi est alimenté par deux sources de plasma hybrides à couplage inductif qui fournissent un dépôt basse pression très uniforme. Il est équipé de l'Endura Ion Energy Shaping III (IES III), une technologie exclusive qui permet un contrôle précis et une uniformité de dépôt couche par couche. Ces couches sont constituées de couches diélectriques et de métallisation performantes. L'injecteur centrifuge de gaz (CGI) et le système de refroidissement en fin de course sont conçus pour permettre un refroidissement et un recyclage rapides afin de maximiser les temps de cycle. Le CGI permet une introduction rapide, précise et répétable des principaux gaz de procédé dans le réacteur. Ceci augmente l'efficacité de la chambre de dépôt en maintenant l'équilibre thermique. L'appareil dispose également d'un profil de refroidissement à distance en fin de course, permettant à la chambre d'atteindre rapidement une température sûre avant de passer à une atmosphère inerte. Cela garantit des durées de cycle maximales et un contrôle des particules grâce à un refroidissement rapide de la chambre de procédé. Centura 5200 Epi dispose également d'une suite logicielle de recettes de processus et de technologies de contrôle exigeant. L'unité peut être configurée pour des dépôts à haute température et à haut débit pour des applications à plus haut débit. De plus, la machine intégrée de mesure de la température de la plaquette sans contact fournit une mesure de température in situ rapide et précise pour le contrôle du processus. Dans l'ensemble, AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 Epi est l'outil parfait pour des processus de production de haute précision et très fiables. Sa combinaison unique de caractéristiques lui permet de fournir le plus haut niveau d'uniformité de dépôt de matériaux et d'évolutivité exigé par l'industrie des semi-conducteurs.
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