Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 Epi #9034366 à vendre en France
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Vendu
ID: 9034366
System, 8"
(3) Selective Epi chambers RP
Process: SEG (Selective Epitaxial Growth)
Software version: B6.40
Wafer shape: SNNF (Semi Notch No Flat)
Wafer cassette: 8" PEEK Miraial
Wafer transfer: Robot: HP+ENP, Wafer centering: On the fly
SMIF Interface: No
System configuration:
Chamber A; SEG
Chamber B: SEG
Chamber C: N/A
Chamber D: N/A
Chamber F: Single cool down
Chamber A, B, and C:
Manometer: MKS (1 Torr, 100 Torr, 1000 Torr)
Clean type: HCI Clean
RGA Port: Yes (connection port to the foreline)
(2) Pyrometers (upper/lower): Iron: MR-T399-99C, K118 (AMAT: 0090-35052)
Gas Pallet Configuration:
Gas name: MFC size
H2/N2 (H2 Main): H2: 100 L
H2/N2 (H2 Slit): H2: 20 L
HCl: HCl: 300 cc
SiH4: SiH4: 1 L
GeH4: H2: 500 cc
Direct-Dopant 1: H2: 300 cc
Mixed-Dopant: H2: 300 cc
SiH2Cl2: SiH2Cl2: 1 L
Direct-dopant 2: H2: 300 cc
Gas Delivery:
MFC: Type: Unit (C8100AF, C3101AF)
Valves: Veriflo
Rim pressure compressor: Pump CPRSR air with RSVR 1 MPA
Filters: Pall Teflon filter
Transducers: Measurement: MKS 852861PCH2GD, Display: MKS LDM-14793
Regulators: Veriflo Parker
Coating: SUS316EP
Single line drop (SLD): No
System cabinet exhaust: Top and side
(3) H2 Leak detector: Control Inst: SNT476-1000 ppm-H2 (AMAT: 0820-01021
(1)System controller: Remote AC Controller
Transformer: N/A (480 V Direct connection)
Chamber process kit: Quartz, carbon parts
QTY | AMAT P/N | Parts Name
(1) 0200-36727 SUSCEPTOR, 200MM EPI W/O CENTER TOSHIB
(1) 0200-35081 RING, PREHEAT GRAPHITE BETA COATING
(4) 0200-36642 PIN, 200MM EPI WAFER LIFT （LIFT+LINER LOCK PIN）
(3) 0200-00207 TIP, SUSCEPTOR SHAFT OUTSIDE
(1) 0200-35007 DOME, UPPER RP
(1) 0200-35042 DOME, LOWER QTZ W/BALL
(1) 0200-35162 LINER, CHMBR UPPER BRKT/CEN (25x)
(1) 0200-35161 LINER, CHMBR LOWER BRKT/CEN (25x)
(2) 0200-35916 INSERT, INJECT 3 ZONE QTZ (25x)
(2) 0021-00571 INSERT,EXHAUST SST
(1) 0200-35159 BAFFLE, INJECT 3 ZONE (25x)
(1) 0200-00412 SHAFT, SUSCEPTOR W/RMVBL PINS NO CEN EPI
(1) 0200-35424 LIFT, WAFER 8" POLY QUARTZ
Foreline heater: Heater jacket from tool to pump 4", temp controller (not included in scope)
Dry pumps: Stored inside of Helios Zenith (not included in scope)
Load lock: iL70N New Look
Transfer: iL70N New Look
Chamber A: iH-35SE
Chamber B: iH1000
Chamber C: iH1000
Gas abatement: (not included in scope)
(1) Boc Edwards Helios Zenith
(1) Kurita water circulation unit
Full load current: 280 A
Maximum system rating: 87 KVA
Ampere rating of largest load: 100 A
Interrupting current: 10,000 Amps I.C.
480 VAC, 3-Ph, 50/60 Hz, 4-Wires
2003 vintage.
MATÉRIAUX AMAT/APPLIQUÉS Centura 5200 Epi est un outil de traitement semi-conducteur moderne utilisé pour le dépôt de couches minces de matériaux polycristallins sur des substrats. Ce réacteur est adapté à diverses applications de traitement d'épi, telles que l'épitaxie, les hétérostructures de couches contraintes, les couches tampons à grande mobilité, l'atténuation des dislocations et les couches de dispositifs à faible défaut. AMAT Centura 5200 Epi utilise une chambre d'atmosphère et un équipement de contrôle de pression pour induire une croissance épitaxiale in situ à haute température. Ce réacteur fournit un système de haute précision pour contrôler en toute sécurité l'environnement réactionnel et les conditions de traitement. Il dispose de conceptions à double chambre à quartz basse pression équipées d'un contrôle de température zone par zone pour le substrat. Ceci assure une croissance épitaxiale reproductible et uniforme. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura 5200 Epi est livré avec une unité de livraison de carburant conçue pour un contrôle précis et stable des gaz réactifs introduits dans la chambre. Il est équipé de régulateurs de masse de télédétection intégrés qui réglent continuellement la pression pour maintenir un débit et une composition de gaz précis sur une gamme de pressions. Cette machine empêche les contaminants et les impuretés d'entrer dans la chambre du réacteur. Centura 5200 Epi comprend également une vanne de dérivation et un outil de surveillance de la pression. Cela élimine le besoin d'entretien fréquent de l'actif. En outre, son panneau de purge avancé a un modèle de chauffage en deux étapes. Cela fournit un équipement efficace d'enlèvement des plastifiants embarqués et de contrôle des particules. Cela permet d'augmenter la stabilité des gaz de procédé et d'améliorer l'uniformité des procédés. AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 Epi a également été conçu avec un système de chauffage et de refroidissement à réponse rapide robuste. Ce mécanisme assure un contrôle précis de la température à partir de températures aussi basses que 500 ° C et jusqu'à 700 ° C Les régulateurs haute température fournissent une uniformité de température précise pour des performances de processus précises et reproductibles. AMAT Centura 5200 Epi est un outil avancé et sophistiqué de traitement d'épi conçu pour répondre à une variété de besoins modernes de fabrication de semi-conducteurs. Il offre uniformité et fiabilité dans une grande variété d'applications de traitement épi, ce qui en fait un outil idéal pour le fabricant de semi-conducteurs moderne.
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