Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 MxP #137526 à vendre en France

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ID: 137526
Taille de la plaquette: 6"
Tungsten WxZ / HeWEB system, 6" (2) Deposition and (2) etch chambers Process: CVD W Standard Centura frame SoGware Version: E3.0 System Power Rating: 208 VAC 3Phase Loading Configura(on: Narrow Body Dual AutoIndexer Loader Chm Positon A: HeWEB. Chamber: Gases/Chemicals Used: Customer specific Chm Positon B: HeWEB. Chamber: Gases/Chemicals Used: Customer specific Chm Positon C: WxZ. Chamber: Gases/Chemicals Used: Customer specific Chm Positon D: WxZ. Chamber: Gases/Chemicals Used: Customer specific Chm Positon E: Mul( Slot cooling Chamber: Gases/Chemicals Used: N2 Chm Positon F: Orient chamber System Configuration: AMAT CENTURA 5200 Standard Mainframe Body AMAT CENTURA 5200 Mainframe Transfer Chamber (2) Narrow Body Loadlock Chamber (2) WxZ Process Chamber System Controller/AC Power Box CRT Monitor with Light Pen RF Generator rack Currently stored in a warehouse.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 MxP est un réacteur PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) pour la production en masse de substrats de plaquettes semi-conductrices et d'autres composants électroniques. C'est un outil de bureau configurable à haut débit avec une recette multi-impulsions pour une répétabilité précise et une cohérence inégalée dans les conditions de fonctionnement. AMAT Centura 5200 MxP peut fournir plusieurs films de la même série, en raison de sa conception de module flexible - y compris un module spécial « multiplexeur » qui est conçu pour supporter jusqu'à 9 films indépendants. Cela permet à l'utilisateur final d'atteindre un débit plus élevé et moins d'étapes de production. Le 5200 MxP est basé sur l'architecture matérielle MxP, qui est conçue pour offrir une flexibilité et une évolutivité maximales en permettant l'intégration de nouveaux composants et processus d'outils. Il contient un système de suivi de surface pour un contrôle précis de la température du substrat pendant le dépôt du film, un équipement ionique réactif pour la gravure du plasma métal-ion et un système de contrôle de réaction avancé pour ajuster l'environnement interne. Le réacteur est équipé d'un écran de diffusion qui assure un dépôt cohérent sur l'ensemble du substrat, réduisant les effets électriques et thermiques indésirables. En outre, le 5200 MxP dispose également d'un système de refroidissement par convection de recirculation qui maintient un profil de température précis à travers la surface du substrat, permettant des films de haute performance. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura 5200 MxP a intégré le contrôle dynamique de rétroaction (DFC), qui peut répondre aux conditions de dépôt en temps réel et effectuer des ajustements correctifs. Cette caractéristique permet de maintenir une épaisseur uniforme sur l'ensemble du substrat, tout en réduisant les effets indésirables tels que les contraintes électriques et thermiques. La conception globale du Centura 5200 MxP offre des résultats fiables et reproductibles à une vitesse rapide, ce qui en fait un bon choix pour les applications de fabrication à grande échelle. Sa conception intégrée, combinée aux systèmes avancés de contrôle de la réaction et de la température, garantit des résultats uniformes et supérieurs pour tout type de substrat.
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