Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 MxP #9105942 à vendre en France

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ID: 9105942
Taille de la plaquette: 8"
Dielectric oxide etcher, 8" (3) Chambers Install type: Through the wall Cassette interface: Narrow body load locks with wafer mapping HP Robot On-the-fly wafer center finding Software version: 4.8_27 Chambers A, B, C, and D: Dielectric etch MXP ESC Standard cathode Bolt-down chamber lid Seiko seiki STP 301 CB1 Phase IV RF Match AMAT optical endpoint system S/W version 30 (2) AMAT 1 heat exchangers (2) Neslab HX-150 chillers with CHX Interface Gas panel configured as follows: Chamber A: N2 100 O2 50 CF4$ 200 CHF3 100 Ar 150 Chamber B: N2 100 O2 50 CF4$ 200 CHF3 100 Ar 110 Chambers C, D: N2 100 O2 50 CF4$ 200 CHF3 100 Ar 250.
AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le Centura 5200 MxP est un réacteur à dépôt chimique en phase vapeur (CVD) à semi-conducteur utilisé pour les procédés avancés de dépôt de films. Cet équipement utilise une conception avancée pour appliquer des procédés avancés de dépôt de couches minces tels que le diélectrique haut k, le nitrure de métal, et d'autres matériaux spécialisés afin de créer des réseaux de transistors super rapides. AMAT Centura 5200 MxP est la dernière d'une série de systèmes de dépôt AMAT, conçus pour répondre aux exigences rigoureuses de l'industrie de la fabrication de semi-conducteurs. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur Centura 5200 MxP est composé de cinq modules, chacun conçu pour offrir des performances et une fiabilité supérieures. Le système est composé de l'alimentation électrique, de la chambre de traitement, de l'unité de manutention des plaquettes, des systèmes de régulation de la température et de la machine de distribution de gaz. L'alimentation électrique offre un haut degré de précision et de contrôle sur le processus de dépôt, permettant un dépôt matériel précis. La chambre de procédé dispose d'une conception cylindrique en acier inoxydable avec une plaque chauffante et deux broches de levage pour une uniformité d'épaisseur précise et répétable. La chambre de procédé intelligemment conçue intègre un cycle de dépôt unique qui fonctionnera dans les modes de dépôt statique et dynamique. L'outil de manutention des plaquettes comprend un moyen de transport automatisé des plaquettes de 200mm et une manipulation des plaquettes à trois axes. Le modèle de manipulation des plaquettes permet un positionnement des plaquettes très précis et un contrôle du débit de gaz, permettant des résultats de dépôt reproductibles et uniformes. Les systèmes de régulation de température assurent une homogénéité précise de la plaquette pendant le processus de dépôt, en contrôlant avec précision les taux de chauffage et de refroidissement des substrats. L'équipement de distribution des gaz fournit les gaz nécessaires au processus de dépôt, tandis que la fonction de sélection flexible des gaz offre la possibilité d'utiliser soit un gaz unique, soit plusieurs gaz. Le système utilise également un certain nombre de dispositifs de sécurité avancés, tels que la suppression des incendies, la détection des fuites et l'arrêt d'urgence, pour assurer un fonctionnement sûr et fiable. Dans l'ensemble, Centura 5200 MxP est un réacteur CVD avancé conçu spécifiquement pour les procédés avancés de dépôt de films. Avec une conception avancée, une chambre de procédé, des systèmes de contrôle de la température et une unité de distribution de gaz, AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 MxP offre des performances et une fiabilité supérieures pour des applications de dépôt de couches minces de haute qualité.
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