Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 #123066 à vendre en France

ID: 123066
Taille de la plaquette: 8"
PVD system, 8" Process capabilities: CVD/Anneal and PVD (3) Chambers Chamber 1: CVD with liquid delivery system (LDS) and vaporizer Chamber 2: PVD Chamber 3: MAC-Anneal Controller type: VME Reduced pressure: YES External cooling: water cooled Accessories: Degas chamber Orienter chamber (2) Heat exchangers MAC blower RF generator rack Halo 650 system controller rack Cryo compressor System cables (2) Monitors.
AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le Centura 5200 (AMAT Centura 5200) est un réacteur à dépôt chimique en phase vapeur métallique (MOCVD) conçu pour le dépôt de composés d'oxydes métalliques tels que l'oxyde d'étain d'indium (ITO). Le réacteur est conçu pour offrir une latitude et une uniformité de procédé supérieures, ce qui améliore la répétabilité et la reproductibilité du procédé pour les applications à haut champ de vision (FOV). MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura 5200 emploie deux chambres de traitement indépendantes. La conception de la chambre se compose d'une chambre supérieure en oxyde d'aluminium fonctionnant avec une conception entièrement équilibrée de mur chaud. La chambre basse fonctionne avec un design de mur frais et est construit avec des murs en quartz. Les deux chambres sont infusées d'oxyde nitreux (N2O) qui circule et améliore l'homogénéité du gaz de procédé. Le réacteur possède une configuration de source avancée qui supporte le dépôt d'oxyde d'étain d'indium, ainsi que d'autres composés d'oxyde métallique. Les sources de gaz comprennent les sources cryogéniques Linde, IBH et Novellus Gas Control Panel (GCP). Toutes les sources sont équipées de systèmes de préchauffage et de soupapes aiguilletées qui produisent des dépôts très uniformes avec une excellente cohérence de recette grâce au logiciel propriétaire Montelli. Centura 5200 est également livré avec des prises de vue doubles pour la détection optique in situ non destructive et le contrôle des gaz pour un contrôle précis de tous les composants gazeux du réacteur, ainsi que des paramètres de dépôt personnalisés pour des matériaux et applications spécifiques. Le système est conçu pour un débit élevé, avec un seul outil capable de traiter 2 plaquettes en même temps. En outre, AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 a un mode de fonctionnement basse pression à basse température pour améliorer l'uniformité des dépôts. Le réacteur possède également une capacité de post-recuit à haute température, qui permet un contrôle précis de la microstructure et de l'épaisseur du film. Dans l'ensemble, AMAT Centura 5200 est un système de réacteur MOCVD avancé qui fournit un dépôt d'oxyde uniforme et précis sur plusieurs substrats. Sa plate-forme intuitive et flexible offre une flexibilité et un contrôle remarquables pour le dépôt précis de composés oxydes métalliques, ce qui en fait un choix idéal pour les applications de haute FOV.
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