Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 #9182239 à vendre en France
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ID: 9182239
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 1997
SACVD System, 8"
Process: eMax
Mainframe
AC Power rack
Chiller:
Buffer chamber
Cool down chamber with NBLL
HEWLETT-PACKARD Robot
Wafer shape: SNNF
SMIF Interface: NO
Chamber A / B / C: eMax
Chamber F: Orientor
Load lock A / B: Narrow
(6) Wafer sensors
SMIF: No
EPD Controller
Chamber A / B / C:
RF Match: 0010-30686
RF Generator: OEM-28B
ALCATEL ATH1600M Turbo pump
Throttle valve
MKS TYPE627 1TORR Mono meter
Mainframe information:
System placement: System alone
Robot type: HP+
L/L Wafer mapping
Slit valve & plate type: Standard
Robot blade: AL
W/F Slippage sensor
N2 Purge
Heat exchanger (Chiller): No
System monitor: Stand alone
System placement: System alone
Dry pumps:
Chamber A / B / C / D: No
Load lock: No
Transfer: No
Gas panel configuration:
Chamber A / B / C:
(6) Channels
SF6 / 100 Sccm / STEC SEC-7740
N2 / 100 Sccm / STEC SEC-7740
O2 / 100 Sccm / STEC SEC-7740
CF4 / 100 Sccm / STEC SEC-7740
CHF3 / 200 Sccm / STEC SEC-7740
AR / 200 Sccm / STEC SEC-7740
Missing parts:
(2) Slit valves
Electrical:
Line frequency: 50 / 60 Hz
Power: 208 VAC, 4 Wires, 3 Phase delta
1997 vintage.
AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le Centura 5200 est un réacteur très avancé utilisé pour le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) de plaquettes de silicium à différentes températures et niveaux de pression. Ce réacteur présente une conception unique de cellule bi-affiliée qui offre une homogénéité et une homogénéité supérieures des matériaux déposés. Ce réacteur est équipé de composants multiples pour soutenir les processus CVD les plus avancés. Cela comprend une alimentation de chauffage linéaire multi-zones, plusieurs sources et commandes de gaz, plusieurs sources RF et micro-ondes, un système de vide et un régulateur de pression à quatre étages. Ce réacteur contient également un suscepteur fixe, permettant une excellente homogénéité de température sur la plaquette. AMAT Centura 5200 propose deux types de chambres différentes, soit une chambre circulaire ou rectangulaire. Chaque chambre peut accueillir jusqu'à seize plaquettes de 2 pouces ou quatre plaquettes de 8 pouces et peut résister à des températures allant jusqu'à 1200 ° C Ceci permet le dépôt de matériaux tels que le dioxyde de silicium, le nitrure de silicium et le carbure de silicium sans dégradation thermique. Le réacteur peut fonctionner en mode manuel ou entièrement automatisé, dans lequel l'utilisateur peut contrôler des paramètres tels que la pression, les débits et le temps pour chaque procédé. Cela rend le réacteur capable de fournir des résultats de procédé reproductibles et cohérents. Pour la surveillance et le contrôle des processus, APPLIED MATERIALS Centura 5200 dispose de diagnostics in situ, y compris un oscillateur à quartz et un spectromètre de masse quadrupolaire (QMS). AMAT peut également être intégré avec une suite complète de logiciels de contrôle des processus pour l'optimisation des processus et des recettes programmables. Centura 5200 est conçu pour fournir des vitesses de dépôt uniformes et un indice de réfraction constant des matériaux déposés. Avec sa conception compacte et fiable, il est un excellent choix pour l'intégration de procédés semi-conducteurs et les applications avancées de recherche de matériaux.
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