Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 #9198283 à vendre en France

ID: 9198283
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 2000
HDP CVD System, 8" Wafer shape: SNNF Chamber configuration: Chamber A: HDP Ultima TE process chamber Chamber B: HDP Ultima TE process chamber Chamber C: HDP Ultima TE process chamber Chamber E: Multi cooldown chamber Chamber F: Orient chamber Loadlock configuration: Loadlock type: Narrow body Auto rotation Cassette type: 200mm Mapping function: FWM Vent type: Variable speed Fast vent option Mainframe configuration: Buffer robot type: HP+ Buffer robot blade: Ceramic blade Status light tower: RYG Remote monitor: Table mount Includes: SMC Thermo chiller INR-498-001B RF Generator type: ETO RF System Standard gas panel With (3) sets gas pallet LEYBOLD MAG2000 Turbo pump Gate valve: NC Electrical configuration: Line voltage: 208V Full load current: 320 A Frequency: 50/60Hz 2000 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 est un réacteur avancé à base de plasma conçu pour la production de micro-dispositifs électroniques. En tant que réacteur à dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD), AMAT Centura 5200 présente un certain nombre d'avantages par rapport à d'autres mécanismes de dépôt, tels que le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou le CVD thermique. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Les principaux composants du système Centura 5200 sont la chambre à plasma, les alimentations électriques, la pompe à vide, la verrerie, la chambre de traitement contrôlée par ordinateur et le matériel de support. La chambre à plasma est une chambre à vide qui contient un gaz de procédé, tel que l'azote ou l'argon, ainsi qu'une faible quantité d'un gaz précurseur, tel que le silane. Cette combinaison de gaz est ce qui crée le plasma à l'intérieur de la chambre. Les alimentations fournissent l'énergie nécessaire à la création du plasma. La verrerie Centura 5200 comprend une plaque de dépôt, un étage de substrat, un tuyau de sortie et divers autres composants qui aident à réguler la taille et la température de la zone de traitement. L'étape de substrat est nécessaire au procédé de dépôt et maintient en place le substrat, soit une plaquette, soit un substrat de transfert. La plaque de dépôt est nécessaire pour diriger le gaz à l'emplacement souhaité sur le substrat. La conduite de sortie transporte les gaz d'échappement de la chambre à plasma. La chambre de procédé est un récipient fermé avec un capteur de température contrôlé par ordinateur et un régulateur de débit de gaz de préconditionnement. Le régulateur de débit de gaz régule le flux de gaz nécessaire au processus de dépôt et maintient une température constante dans la chambre. AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura 5200 utilise un mécanisme air-gaz pour générer du plasma qui se traduit par des taux de dépôt élevés et une excellente uniformité des dépôts sur le substrat. La pompe à vide de l'AMAT Centura 5200 est utilisée pour maintenir la pression à l'intérieur de la chambre à plasma et pour évacuer les sous-produits du processus de dépôt. Cela garantit que le gaz de procédé à l'intérieur de la chambre n'est pas affecté par des atomes ou des particules parasites de la réaction. Enfin, le matériel de support de APPLIED MATERIALS Centura 5200 est conçu pour fournir un support intégral pour le fonctionnement du réacteur. Cela comprend des composants tels que des soupapes d'air, des capteurs de pression, des capteurs de température et des dispositifs d'arrêt. Ces composants servent à la fois à surveiller et à contrôler le fonctionnement du réacteur en permettant l'ajustement des flux gazeux, des pressions et des températures du gaz, et d'autres paramètres. Dans l'ensemble, le réacteur Centura 5200 PECVD est un système fiable et efficace pour la fabrication d'une multitude de micro-dispositifs et de produits. Sa combinaison de composants avancés et de la chambre de processus contrôlée par ordinateur garantit que la meilleure qualité des dépôts est atteinte de la manière la plus efficace possible.
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