Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 #9248821 à vendre en France

AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Réacteur CVD/PECVD à pression atmosphérique Centura 5200, est un équipement avancé de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma pour le dépôt de couches minces pour les applications MEMS, high-K, barrière, diélectrique, anisotrope et low-k. Il a une conception de chambre très polyvalente pour répondre aux exigences de la prochaine génération de noeuds technologiques, en fournissant uniformité et sélectivité pour un rapport d'aspect élevé avec le traitement à basse température. Le système de réacteur AMAT Centura 5200 comprend une chambre à quartz de 4 pouces, un contrôle de la pression du procédé, une injection multi-gaz, un chauffage en chambre à pleine fonction et un contrôle de la température, des sources de plasma RF jusqu'à 254 MHz et une unité de pompage à flux turbulent. La chambre est conçue pour fonctionner dans une gamme d'atmosphère et de température, fournissant une large gamme de traitement de 300 mTorr à 760 Torr. Il est équipé de deux sources de polarisation RF de 254 MHz 13.56Mhz offrant au total jusqu'à 500 watts de puissance. Les différentes configurations de processus permettent le fonctionnement simultané de multiples recettes de dépôt. MATÉRIAUX APPLIQUÉS La machine à réacteur Centura 5200 dispose également de capacités détaillées de contrôle des procédés, vous permettant d'ajuster, de surveiller et d'optimiser le débit de gaz réactif, la pression du procédé, la température de la chambre et la température de surface propres à chaque recette de procédé. Il comprend également une interface utilisateur de suivi de processus, qui permet de configurer facilement les outils et de tester les recettes. Les capacités avancées d'enregistrement des données permettent une surveillance continue du processus de dépôt. Le réacteur Centura 5200 supporte également des capacités avancées de contrôle des dépôts telles que la surveillance des processus en temps réel et la mesure des profils vivants pour l'optimisation de la vitesse et de l'uniformité des couches. La technologie avancée de dépôt assisté par plasma du réacteur permet le dépôt à basse température des étapes de processus à haute température, minimisant le risque d'endommagement et de contamination du substrat. Il est également équipé de capacités de gravure à haute température pour des recettes de processus plus flexibles. Cet atout de réacteur avancé vous permet d'atteindre un large éventail d'objectifs de processus tout en maintenant une qualité de processus optimale. Il est bien adapté pour la production de prototypes et de petits capteurs, la recherche et le développement, et les laboratoires de développement de nouvelles technologies.