Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura ACP RP #9096042 à vendre en France

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AMAT / APPLIED MATERIALS Centura ACP RP
Vendu
ID: 9096042
Taille de la plaquette: 12"
Epitaxial silicon (EPI) System, 12" Position A: Yes Position B: Yes Position C: Yes Position D: Yes System software: B2.7_39 FiCGUI: fB4.90_15 Beta GP: gB7.50_11 WIP Delivery type: OHT WIP delivery (2) Load ports Remote control system capable: NO eDiagnostics ready: Yes Docked E99 reading capability: Yes Load port types: Enhanced 25-Wafer FOUP Docking flange shield: Yes Air intake system: Top intake E84 carrier handoff: Upper E84 interface enabled OHT E84 PIO sensors and cables: Upper E84 sensor an cable E99 Carrier ID: TIRIS With RF Operator access switch: Yes Carrier ID host interface: No OHT Light curtain: Light curtain SECS Trace: Yes Single axis aligner: Single axis aligner Robots: No Mainframe type: CORE ENP BLOCK 2 LL: Batch load lack Chamber Interface: Vented stainless stell insert Pumps: Process pump: EDWARDS iH1000SC, 100 Hz Transfer Pump: ALCATEL ADS602 LL Pump: ALCATEL ADS602 Baratrons : MKS Lift Pins: Hollow silicon carbide graphite Recipe control AccuSETT: Yes Lamp type: USHIO 0190-31284 Process temperature: PID Control real time display Emissivity: 0.55 to 0.75 upper and 0.6 to 0.8 lower Upper/Lower Gain (kw/C): 0.5 NOT allowed to adjust but capable Upper/Lower TI (sec): 10s Upper 20s Lower Gas panel feed: Bottom Pump purge: YES Regulators and displays Transducers and regulators SiH2CI2 Stick 07: DCS (500 sccm) HCl Stick 03: HCL (500 sccm) SiH4 tick 04: SIH4 (500 sccm) H2 NIL H2 Main Stick 01: Purge main (100000 sccm) H2 Slit Stick 02: Purge slit (30000 sccm) 3 degree flared in upper outer threaded upper inner: threaded upper inner 0041-01969 FTGNIP QDISC: FTGNIP QDISC 3/8BODY X 3/8-18FP1.71"LSST303 3300-01720 Phase II hardware Shaft 6-arm susceptor support: Reflector Base Lower mid Top Lower mid H2 Purifier: Yes Currently de-installed.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura ACP RP est un réacteur avancé de traitement de gravure de plasma à haute performance pour la fabrication de semi-conducteurs. Il dispose d'un système de dépôt très efficace, avec une électrode pulvérisée spécialement conçue et l'équipement breveté Costar Rotatable Process (CRP) pour le contrôle précis des paramètres du processus. Le PRC permet d'optimiser le procédé et d'améliorer le rendement grâce à un contrôle minutieux du procédé et à un dépôt précis. L'ACP RP est conçu pour une gamme d'exigences de traitement des semi-conducteurs, y compris les dispositifs CMOS et III-V. Il est capable de dépôts physiques et chimiques in situ, offrant un meilleur contrôle des processus grâce à une précision et une précision avancées. Le réacteur ACP RP est alimenté par plasma RF, fournissant une source de plasma efficace et efficiente pour la production de divers matériaux pour des applications semi-conductrices. Le réacteur a une large capacité de procédé allant de la gravure et de l'implantation ionique au dépôt sélectif. Il utilise un logiciel propriétaire et breveté Costar Rotatable Process pour aligner précisément les électrodes et les chemins de plasma pour un dépôt optimal des couches sur la plaquette. Le système dispose également d'un système de vide très efficace, avec une chambre de procédé spécialisée pour améliorer l'uniformité des dépôts. Cela permet une plus grande uniformité sur toute la longueur du processus de dépôt. La chambre spéciale réduit les niveaux de bruit et améliore les performances des dépôts. En outre, l'ACP RP dispose de e-Beam Driven Process Sources (EBPS), qui permet la gravure rapide, l'implantation d'ions, et d'autres techniques de traitement du plasma en une seule étape. L'ACP RP est équipé d'un système de contrôle avancé, qui permet un contrôle précis et précis des paramètres du processus. Cela garantit des résultats reproductibles et à haut rendement, ce qui rend le RP ACP adapté à un large éventail d'applications. En outre, l'ACP RP est facilement extensible, avec des fonctionnalités facultatives telles que le plateau rotatif, Unigy Electrostatic Chuck (ESC), RoboSTAT Process Control Software, et plus encore. Toutes ces caractéristiques garantissent des résultats cohérents et prévisibles, permettant un débit optimisé et un rendement amélioré dans un environnement de production. L'ACP RP est conçu pour un fonctionnement rapide et sans problème, et offre des caractéristiques exceptionnelles, ce qui le rend adapté à une variété de procédés de fabrication de semi-conducteurs. Sa source de plasma RF avancée et son contrôle de processus de haute précision en font un excellent choix pour tout processus nécessitant fiabilité et précision. Avec sa conception et ses performances robustes, AMAT Centura ACP RP est un choix idéal pour des tâches de traitement de gravure plasma à haut volume et complexes.
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