Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura ACP RP #9168768 à vendre en France
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Vendu
ID: 9168768
Taille de la plaquette: 12"
Style Vintage: 2008
EPI System, 12"
Includes: HDD
Factory interface options:
Wafer transfer robot: YASKAWA Robot
Load port types: TDK25 Wafer FOUP V2
(3) Loadports
Power supply:
FFU 208 VAC
Controller 110 VAC
ULPA Filter: PTFE Boron free ULPA
Orienter: Pre aligner
End effecter: Edge grip PEEK material
Remote options:
Monitor 1: 17" Flat panel with keyboard on ergo arm
Mainframe options:
Mainframe type: ACP BLOCK 2
Loadlocks: Batch loadlock
Chamber interface: Vented stainless steel insert and door with viton
DVR Record license
Water hose fittings: Yes
Water module stand: Yes
Upper frame H2 leak detector: Yes
Chamber A/B: (RH3) Reduced pressure EPI
Lamp type: USHIO BNA8
MFC: UNIT 8561
Pump purge: Yes
Regulator and displays: Transducers and regulators
Transducer display type: SI (KPA)
H2 Leak detector: Single
H2 50slm
H2 10slm
HCL 500sccm
HCL 15slm
SiH4 500sccm
SiH2Cl2 500sccm
GeH4 500sccm
Direct dopant x 2 line
Dopant mixer 2line
Spare 1 line 100sccm
Aux GeH4 line 100sccm
Currently warehoused
2008 vintag
AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (PECVD) de Centura ACP RP (RapidPulse) est une plate-forme multi-chambres performante pour le dépôt de couches minces pour l'industrie de la fabrication de semi-conducteurs. AMAT Centura ACP RP est capable de déposer une large gamme de couches de matériaux tels que des oxydes, des nitrures, des diamants, ainsi que des dopants, pour le processus de fabrication du dispositif. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura ACP RP dispose d'une zone de nettoyage monobloc et d'une source chauffée d'électron-cyclotron-résonance in situ (ECR). La source crée des espèces ionisées et des radicaux qui bombardent le substrat pour une activation de surface optimale et une adhésion accrue. L'ACP RP dispose également d'un système de processus avancé offrant un contrôle supérieur de la température, des films uniformes et une complexité de processus minimisée. Il intègre le chauffage RF susceptor et le refroidissement aérien avec précision de température pour maintenir l'uniformité entre les matrices nanométriques et les plaquettes pleines. Doté d'une large gamme de systèmes de détection et de contrôle in situ comprenant des capteurs d'émission de plasma, des capteurs de pression quadrangulaires, des capteurs thermiques, des jauges ioniques et des systèmes de contrôle de processus dédiés, le réacteur est conçu pour surveiller avec précision la température du substrat et la pression de la chambre de traitement à tout moment. En outre, les chambres de verrouillage de charge de l'ACP RP permettent de charger automatiquement les plaquettes et de les décharger des porte-plaquettes sans compromettre la qualité du procédé. Cela permet d'assurer des résultats de processus uniformes tout en éliminant les débris qui peuvent se produire avec le chargement et le déchargement manuel. De plus, la conception modulaire de l'ACP RP permet de remplacer les porte-plaquettes, et la manipulation des plaquettes du réacteur peut être personnalisée pour répondre aux exigences du dispositif. Centura ACP RP offre une excellente performance et fiabilité, avec des rendements qui dépassent les normes de l'industrie. Avec son débit élevé, sa faible empreinte et ses capacités avancées de contrôle des processus, l'ACP RP est le choix idéal pour les environnements exigeants de production de semi-conducteurs.
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