Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura ACP RP #9168768 à vendre en France

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ID: 9168768
Taille de la plaquette: 12"
Style Vintage: 2008
EPI System, 12" Includes: HDD Factory interface options: Wafer transfer robot: YASKAWA Robot Load port types: TDK25 Wafer FOUP V2 (3) Loadports Power supply: FFU 208 VAC Controller 110 VAC ULPA Filter: PTFE Boron free ULPA Orienter: Pre aligner End effecter: Edge grip PEEK material Remote options: Monitor 1: 17" Flat panel with keyboard on ergo arm Mainframe options: Mainframe type: ACP BLOCK 2 Loadlocks: Batch loadlock Chamber interface: Vented stainless steel insert and door with viton DVR Record license Water hose fittings: Yes Water module stand: Yes Upper frame H2 leak detector: Yes Chamber A/B: (RH3) Reduced pressure EPI Lamp type: USHIO BNA8 MFC: UNIT 8561 Pump purge: Yes Regulator and displays: Transducers and regulators Transducer display type: SI (KPA) H2 Leak detector: Single H2 50slm H2 10slm HCL 500sccm HCL 15slm SiH4 500sccm SiH2Cl2 500sccm GeH4 500sccm Direct dopant x 2 line Dopant mixer 2line Spare 1 line 100sccm Aux GeH4 line 100sccm Currently warehoused 2008 vintag
AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (PECVD) de Centura ACP RP (RapidPulse) est une plate-forme multi-chambres performante pour le dépôt de couches minces pour l'industrie de la fabrication de semi-conducteurs. AMAT Centura ACP RP est capable de déposer une large gamme de couches de matériaux tels que des oxydes, des nitrures, des diamants, ainsi que des dopants, pour le processus de fabrication du dispositif. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura ACP RP dispose d'une zone de nettoyage monobloc et d'une source chauffée d'électron-cyclotron-résonance in situ (ECR). La source crée des espèces ionisées et des radicaux qui bombardent le substrat pour une activation de surface optimale et une adhésion accrue. L'ACP RP dispose également d'un système de processus avancé offrant un contrôle supérieur de la température, des films uniformes et une complexité de processus minimisée. Il intègre le chauffage RF susceptor et le refroidissement aérien avec précision de température pour maintenir l'uniformité entre les matrices nanométriques et les plaquettes pleines. Doté d'une large gamme de systèmes de détection et de contrôle in situ comprenant des capteurs d'émission de plasma, des capteurs de pression quadrangulaires, des capteurs thermiques, des jauges ioniques et des systèmes de contrôle de processus dédiés, le réacteur est conçu pour surveiller avec précision la température du substrat et la pression de la chambre de traitement à tout moment. En outre, les chambres de verrouillage de charge de l'ACP RP permettent de charger automatiquement les plaquettes et de les décharger des porte-plaquettes sans compromettre la qualité du procédé. Cela permet d'assurer des résultats de processus uniformes tout en éliminant les débris qui peuvent se produire avec le chargement et le déchargement manuel. De plus, la conception modulaire de l'ACP RP permet de remplacer les porte-plaquettes, et la manipulation des plaquettes du réacteur peut être personnalisée pour répondre aux exigences du dispositif. Centura ACP RP offre une excellente performance et fiabilité, avec des rendements qui dépassent les normes de l'industrie. Avec son débit élevé, sa faible empreinte et ses capacités avancées de contrôle des processus, l'ACP RP est le choix idéal pour les environnements exigeants de production de semi-conducteurs.
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