Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura AP DPS II Polysilicon #9208337 à vendre en France

AMAT/APPLIED MATERIALS Le réacteur en silicium polycristallin Centura AP DPS II est un équipement de production avancé conçu pour produire du silicium polycristallin de haute pureté pour l'industrie des semi-conducteurs. Ce système sophistiqué utilise trois procédés distincts - dopage au plasma d'argon (APD), couche flottante de charge (CFL) et implantation de silicium (SI) - pour atteindre un niveau optimal de pureté dans le silicium polycristallin produit. Le procédé APD utilise la technologie de dopage au plasma d'argon, qui introduit des dopants à l'arsenic ou au phosphore à la surface de la plaque de silicium polycristallin, permettant des changements de conductivité et un contrôle précis des propriétés électroniques du matériau. Le processus CFL utilise une couche de charge flottante (FCL) pour réguler le mouvement des dopants, offrant une souplesse dans la sélection des dopants et un meilleur contrôle des processus. Enfin, le procédé SI utilise un procédé d'implantation ionique pour introduire une surface de substrat unique dans une plaque de silicium polycristallin, ce qui permet un contrôle précis de ses propriétés électriques et améliore la qualité de la plaque. AMAT Centura AP DPS II Réacteur en silicium polycristallin est conçu pour permettre une approche à haute vitesse, multi-chambre pour produire du silicium polycristallin, permettant un traitement simultané jusqu'à six pleine taille toutes les heures. Cela le rend idéal pour des besoins de production à grande échelle. Grâce à sa capacité de personnalisation, les utilisateurs peuvent configurer l'unité pour créer une variété de spécifications de sortie, telles que les concentrations de porteuse cultivées, le recuit thermique rapide (RTA) et le dépôt de silicium polycristallin. Cela permet d'accélérer davantage les délais de traitement. La machine est intégrée avec six composants clés : 1) un outil de distribution de gaz ; 2) un actif sous vide ; 3) un modèle de contrôle de la contamination ; 4) une chambre de processus ; 5) une unité électronique et 6) un équipement de micro-laminage. Le système de distribution de gaz garantit que tous les gaz et dopants nécessaires sont fournis de manière sûre et efficace. L'unité de vide élimine les contaminants volatils de l'environnement et contrôle la pression de la machine. L'outil de contrôle de la contamination comprend une technologie avancée de lavage pour purifier l'environnement avant et après chaque procédure. La chambre de procédé est conçue pour maintenir les substances aux niveaux de température et de pression requis, ainsi que pour fournir un environnement vraiment propre. L'unité électronique surveille et enregistre toutes les opérations d'actifs, ainsi que fournir une variété de caractéristiques de contrôle de modèle. Enfin, l'équipement de microlamination permet un dépôt et un contrôle précis des matériaux. En résumé, MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur en silicium polycristallin Centura AP DPS II est un système de production avancé pour l'industrie des semi-conducteurs. Il utilise trois procédés distincts - dopage au plasma d'argon (APD), couche flottante de charge (CFL) et implantation de silicium (SI) - pour atteindre un niveau optimal de pureté du silicium polycristallin produit. L'unité est capable de produire jusqu'à six wafers pleine taille par heure, et peut être personnalisée pour une variété de spécifications de wafer. La machine est en outre intégrée avec six composants clés - un outil de distribution de gaz, un actif sous vide, un modèle de contrôle de la contamination, une chambre de traitement, une unité électronique et un équipement de micro-laminage - pour atteindre les plus hauts niveaux de qualité et d'efficacité.