Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura AP Ultima X #9172654 à vendre en France

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ID: 9172654
HDP CVD System, 12" Factory interface (FI) version: 5.3 Number of load-ports: 3EA FI Robot type: KAWASKI with edge grip & Pre-aligner (single axis) Mainframe type: 300mm CenturaAP mainframe Vacuum robot type: VHP with 2 ceramic blades LLKA: SWLL LLKB: SWLL Chamber configuration: A: Ultima X HDP-CVD B: Ultima X HDP-CVD C: Blank D: Ultima X HDP-CVD Process chambers: Ch#A/B/D : Ultima X HDP-CVD Process: USG STI & IMD, PSVN Gas ring & Nozzle type: 36 Ports & 1.76” ALN Nozzles Cathode type: 300mm Dual HE ESC RPS Type: MKS Astron RPS Turbo pump type: STP-XH3203P (CH A/B) TMP-H3603LMC-A1(CH D) Gate valve type: NorCal RF Generator: Top/Side: MKS ENI Spectrum (2 MHz, 11 kW) BIAS: MKS ENI Spectrum (13.56 MHz, 11 kW) RF Match box: Top/Side: Local match Bias: AE AZX72 Auto tune match Box IHC Type: 20/20 Torr dual IHC WTM Type: Wafer temperature monitor 4 channels Gas pallet configuration: (12) Stick gas pallets (CH A/B) N2 Purge O2: 400sccm NF3: 400sccm He: 600sccm SIH4: 400sccm H2: 1000sccm AR:1000sccm SiH4: 50sccm He: 600sccm NF3: 400sccm NF3: 3000sccm Ar: 3000sccm N2 Purge Stick gas pallets (CH D) N2 Purge O2 NF3 H2 1000sccm SiH4 He 600sccm Ar 50sccm H2 1,000sccm SiH4 He 600sccm NF3 NF3 Ar 3000sccm N2 Purge Gas panel feed: Bottom Exhaust: Bottom MFCs: Unit 8565C multiflow Valve type: Veriflo Filter type: Millipore Controller type: DeviceNet Transfer pump: ALCATEL A100L iPUP (1EA) Primary AC rack: 2EA Facilities UPS interface Power requirements: 200/208 VAC, 3-Phase, 400 A, 4-Wire, Frequency 50/60 Hz 2005 vintage.
AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura AP Ultima X Reactor est un dispositif semi-conducteur utilisé pour le dépôt de films diélectriques et métalliques. Cet équipement haute performance offre les dernières performances en matière de haut débit et de précision, permettant aux ingénieurs de produire rapidement et avec précision des structures complexes dans un large éventail de matériaux. AMAT Centura AP Ultima X est équipé de la technologie puissante PECVD (dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma), lui permettant de déposer rapidement des films diélectriques et métalliques à haute température. Les grandes tailles de substrat, jusqu'à 300 mm de diamètre, peuvent être manipulées avec une grande précision et précision. Les taux de dépôt sont également considérablement augmentés par la combinaison de basse pression, moyenne fréquence, forte puissance et faible charge. Le système est livré avec une unité de contrôle et de surveillance sophistiquée, permettant aux utilisateurs de surveiller de près le dépôt des films. La machine peut détecter le niveau de conformité sur les substrats et avec la capacité de commuter entre différents niveaux de pulvérisation, elle permet le dépôt de films avec une haute conformité et uniformité. L'outil utilise un atout de haute capacité pour la livraison rapide de gaz, permettant un débit plus élevé. Cela garantit également des temps de démarrage plus rapides, permettant aux opérateurs de démarrer rapidement le processus. Grâce à une chambre à trois zones facilement accessible et programmable, les ingénieurs peuvent produire des films solides et fiables avec une uniformité et une conformité idéales. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura AP Ultima X a une précision et une fiabilité supérieures, ce qui permet d'obtenir des résultats précis et cohérents. Avec un modèle d'étalonnage automatique en place, les ingénieurs peuvent être assurés que les résultats obtenus répondront toujours aux exigences souhaitées. De plus, la conception modulaire de l'équipement facilite la maintenance et la mise à niveau. Dans l'ensemble, Centura AP Ultima X Reactor est un appareil avancé qui peut être utilisé pour créer rapidement et avec précision des structures complexes. Avec une large gamme de caractéristiques, le dispositif permet aux ingénieurs de déposer rapidement des films diélectriques et métalliques avec une grande précision et cohérence.
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