Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DCVD #293820439 à vendre en France

AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur Centura DCVD est un équipement avancé de dépôt chimique en phase vapeur amélioré (PECVD). Ce réacteur à dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma assure un dépôt efficace de films de silicium et de dioxyde de silicium, ainsi que d'autres matériaux. La conception unique du réacteur DCVD permet des films de haute qualité et reproductibles avec un lissage de surface amélioré. Le réacteur AMAT Centura DCVD est un système monobloc qui peut déposer des matériaux jusqu'à 200 mm de diamètre. Il a la capacité de contrôler et de délivrer avec précision les gaz réactifs nécessaires pour combiner et former l'épaisseur de film désirée. La technologie avancée de cette unité repose sur la technique avancée de dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD), qui est un procédé de dépôt utilisé pour déposer des couches minces de matériaux diélectriques sur des plaquettes de silicium, sur des interconnexions ou sur des dispositifs semi-conducteurs. Il engendre un processus de corrosion contrôlée de deux ou plusieurs réactifs gazeux sur un substrat semi-conducteur de silicium chauffé chargé d'un plasma d'ions évacué électriquement. Ce procédé fournit un film lisse extrêmement uniforme avec une interface bien définie entre le substrat et le film. Grâce à ses capacités de régulation de température élevées, le réacteur Centura DCVD est capable d'optimiser les taux de dépôt tout en offrant des propriétés de film optimales. Le procédé DCVD offre également un profil d'oxydation amélioré et des densités d'interface réduites. En outre, le réacteur Centura DCVD offre des capacités de transfert de substrat peu coûteuses et un contrôle automatisé des processus. Cette machine avancée dispose d'un robot entièrement intégré qui fournit une manipulation de substrat supérieure pour le transfert et le positionnement des substrats. L'outil dispose également de fonctions avancées de contrôle des processus telles que le séquençage des gaz et le contrôle de la cadence, ce qui permet un contrôle précis des paramètres du processus. En outre, AMAT/APPLIED MATERIALS Le réacteur Centura DCVD comprend des capacités de rétroaction et de surveillance avancées afin que les conditions optimales du procédé et la qualité du film puissent être maintenues tout au long de l'opération. Dans l'ensemble, l'actif AMAT Centura DCVD est un réacteur de dépôt avancé enrichi en plasma qui permet de déposer efficacement des films avec un lissage de surface amélioré. Il offre un excellent contrôle thermique, une manipulation automatisée des substrats, un contrôle avancé des processus, ainsi que des capacités de rétroaction et de surveillance, permettant des films reproductibles et de haute qualité. Ainsi, le procédé DCVD est adapté à une variété d'applications, y compris la fabrication de dispositifs semi-conducteurs et les applications d'interconnexion.