Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DLH #9093318 à vendre en France

AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DLH
ID: 9093318
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 1996
CVD System, 8" Process: Nit Pass 1996 vintage.
AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura DLH est un réacteur PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) qui est utilisé dans l'industrie pour le dépôt de couches minces. Ce réacteur est polyvalent et utilise des sources de plasma à couplage inductif (PIC) pour permettre le dépôt rapide de divers matériaux dans un environnement de production. Le procédé PECVD est utilisé dans de nombreuses applications semi-conductrices et microélectroniques avancées, telles que le dépôt de films pour des applications photovoltaïques, diélectriques, métallisations, couches sensibilisées, revêtements protecteurs et polymères structurés. Le procédé PECVD utilise un mélange de gaz pour déposer des couches minces avec des équipements tels que l'AMAT Centura DLH. Le réacteur est constitué d'un générateur RF qui génère la puissance à la source de plasma. La source de plasma dans le réacteur est utilisée pour produire le processus d'ionisation pour aider les molécules de gaz à se décomposer et à réagir. Ce procédé produit alors la couche déposée sur le substrat. Les sources d'énergie utilisées dans le système sont RF (radiofréquence) et DC (courant continu). La fréquence et la puissance RF pour la production de plasma sont typiquement 13.56MHZ et 250W. La puissance plasmatique créée est variable et peut être ajustée en fonction du dépôt de matériaux désiré. Pour le dépôt rapide de films, des puissances plus élevées peuvent être utilisées mais doivent être manipulées de manière contrôlée pour éviter tout endommagement de la chambre. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur Centura DLH dispose également d'un régulateur de débit massique de gaz (CGPM) qui permet un contrôle précis des niveaux de gaz utilisés. Ces gaz doivent être réglés à l'intérieur du système pour atteindre le taux de dépôt de matière souhaité. Centura DLH dispose également d'une zone de chauffage dans le générateur RF qui permet d'atteindre des températures allant jusqu'à 400 ° C. Cette température peut être utilisée pour contrôler la vitesse de réaction et l'épaisseur de dépôt des films en cours de réalisation. La conception globale d'AMAT/APPLIED MATERIALS Centura DLH est très fiable et produit des résultats uniformes sur plusieurs passes. La chambre est conçue avec une faible consommation d'énergie, des coûts de fonctionnement et des exigences de maintenance et est efficace lorsqu'il s'agit de produire des films diélectriques et épais. AMAT Centura DLH est également un dispositif de surveillance en temps réel entièrement automatisé, qui permet de contrôler les paramètres du processus et d'effectuer les ajustements nécessaires pour une performance optimale. En conclusion, MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura DLH est un réacteur PECVD fiable et polyvalent qui permet la production de films diélectriques et épais dans un environnement de production. Le réacteur utilise une source d'énergie RF pour produire le plasma et dispose également de GCM régulateurs pour contrôler les niveaux de gaz utilisés. Avec sa faible consommation d'énergie et ses coûts de fonctionnement, le réacteur est un outil rentable et efficace pour l'industrie microélectronique. Centura DLH dispose également d'une surveillance automatique en temps réel, permettant des performances optimales et des résultats fiables.
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