Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DPS II #293705867 à vendre en France

MATÉRIAUX AMAT/APPLIQUÉS Le Centura DPS II est un réacteur à dépôt chimique en phase vapeur (PECVD) renforcé par plasma utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs pour le dépôt de films et de couches avec un contrôle précis de l'uniformité et de la conformité. Le réacteur DPS II utilise l'excitation radiofréquence (RF) et la génération de plasma hyperfréquence pour contrôler avec précision la vitesse de dépôt, la conformité et l'uniformité. Cela permet une grande variété d'applications de semi-conducteurs, y compris des structures de dispositifs avancées telles que transistors, RAM et interconnexions. Le réacteur DPS II est constitué d'une chambre étanche qui abrite un système de distribution de gaz en bout. Le système de distribution de gaz se compose de ports d'injection de gaz, de ports d'échappement et de chauffages. Les gaz sont injectés dans la chambre par les orifices d'injection de gaz et sont répartis uniformément dans toute la chambre par une série de chicanes. La combinaison de puissance RF et micro-ondes est fournie à la chambre remplie de gaz pour générer un plasma haute densité qui est utilisé pour déposer le film ou la couche désirée sur la plaquette de procédé. Le réacteur DPS II dispose également d'un générateur Bias Point. Ce dispositif fournit une tension de polarisation continue réglable qui peut être ajustée pour contrôler le profil et l'uniformité du dépôt sur la plaquette. De plus, une vanne de régulation de pression est utilisée pour régler la pression de la chambre pour un dépôt optimal. Le DPS II offre un excellent contrôle du processus et l'uniformité avec ses technologies avancées RF, micro-ondes et générateur de points de polarisation. Il peut être utilisé pour déposer des films et des couches pour une grande variété de structures semi-conductrices avancées. Le système fini de distribution de gaz assure également l'uniformité des dépôts. Toutes ces caractéristiques se combinent pour faire du DPS II un excellent choix pour les procédés avancés de dépôt de semi-conducteurs.