Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DPS R1 #9189045 à vendre en France

ID: 9189045
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 1997
Poly metal etcher, 8" C1P2 WBLL HP DPS+ Poly (TwG, TMP: STP-2203) DPS R1 Metal (TwG,H1303) ASP VDS Gen: AX2115 OEM 12B3 GMW25 AE Atlas 2012 1997 vintage.
AMAT/MATERIQUES APPLIQUÉES AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura DPS R1 est un réacteur de pointe conçu pour les technologies de processus de dépôt amélioré par plasma. Le DPS R1 est conçu pour déposer des couches diélectriques, isolantes et barrières pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. Le réacteur est une solution optimale pour maximiser le rendement et les performances du dispositif tout en répondant aux exigences les plus strictes du procédé. Le DPS R1 a une source de plasma à basse température (LTPTM), permettant d'effectuer des processus sensibles à la température avec une stabilité et un débit de procédé améliorés. Il est également doté d'une option d'injection d'ions métalliques réfractaires (RMIIO) qui aide à maintenir une répartition uniforme des espèces d'ions plasmatiques qui contribue au dépôt sans défaut. Le DPS R1 a une conception en tube ouvert qui permet une distribution efficace et l'uniformité des espèces plasmatiques réactives à la surface de la plaquette. La source de plasma à distance automatisée (RPS) permet d'ajuster facilement les paramètres de fonctionnement du réacteur, et la technologie de contrôle SmartCentreMC assure des réglages rapides et reproductibles. Le système avancé d'exclusion des bords (AES) du réacteur prévient les effets des bords des plaquettes et assure l'uniformité tout au long du processus de dépôt. Le CLPP (Closed-loop Pulse Power™) offre un contrôle facile de la puissance et des paramètres plasmatiques stables pour maintenir les spécifications souhaitées. Le contrôle de substrat magnétique multi-zones (MMSC) permet de réduire les effets d'ombrage hors axe et assure un positionnement précis des substrats sur le mandrin de la plaquette. Le DPS R1 offre également une gamme d'options modulaires telles qu'une électrode auxiliaire pour élargir la couverture plasma et un système mécanique avancé de mouvement des substrats (ASMS) pour un contrôle précis du balayage. Le réacteur dispose également d'une option de sortie ATC économe en énergie et d'un mandrin électrostatique multizone avec une gestion thermique robuste pour les substrats jusqu'à 8 "de diamètre. Le DPS R1 assure un contrôle précis des paramètres de la chambre, des espèces plasmatiques et des niveaux de puissance. En outre, ce réacteur de pointe permet un débit élevé et un coût de propriété moindre en raison de sa conception complète. Il convient pour des températures et des procédés allant de moins de 600 ° C à plus de 800 ° C et est bien adapté pour diverses applications telles que le dépôt de couches diélectriques à mémoire, de matériaux à haute barrière k, de couches diélectriques à faible k et plus encore.
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