Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DxL #117144 à vendre en France

ID: 117144
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 2000
PECVD SiO2 system, 8" Specifications: (3) Chambers: SiO2 Cool down chamber HP robot Notched wafers Gases: Ch A, B, C: SiH4, NF3, N2O, CF4, N2, Ar Front and rear monitors SMC chiller (3) RF generators: ENI OEM 12B (2) EBARA A30W dry pumps (3) EBARA A70W dry pumps Process kits English software All cables and hoses Packing list: Mainframe System controller RF generator rack Rear monitor Rear monitor base Front monitor set Chamber A ceramic shield Chamber A susceptor Chamber A ceramic edge ring Chamber A ceramic hoop (4) Chamber A ceramic lift pins Chamber B ceramic shield Chamber B susceptor Chamber B ceramic edge ring Chamber B ceramic hoop (4) Chamber B ceramic lift pins Chamber C ceramic shield Chamber C susceptor Chamber C ceramic edge ring Chamber C ceramic hoop (4) Chamber C ceramic lift pins Cables 1-12 Water hose Chamber A pump Chamber B pump Chamber C pump T/M pump L/L pump SMC chiller Cables 13-20 Power: 208VAC, 3 phase, 50 / 60 Hz De-installed Q4 2009 Currently warehoused / plastic-wrapped 2000 vintage.
AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura DxL est un réacteur semi-conducteur révolutionnaire qui offre une solution polyvalente et économique pour la fabrication d'appareils micro-électroniques. Il est alimenté par la plateforme éprouvée PECVD AMAT avec l'équipement d'ingénierie Centura XL. Avec ses fonctionnalités avancées, AMAT Centura DxL établit une nouvelle norme pour le traitement des rapports d'aspect ultra-élevés. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Centura DxL est conçu pour fournir le taux de dépôt et l'uniformité les plus élevés, maximisant le débit de production et les rendements. Sa plate-forme PECVD haute performance fonctionne jusqu'à 530 ° C, permettant le dépôt d'une large gamme de films d'oxyde, de nitrure et de métal. Le réacteur combine des MATÉRIAUX APPLIQUÉS brevetés IntelliPath système de contrôle de la température et de la pression de bord, permettant le dépôt de films avec uniformité et répétabilité. Centura DxL offre également une variété d'options de traitement de rapports d'aspect élevé, y compris la planarisation et le traitement anisotrope. Le réacteur offre un contrôle simultané et indépendant de la température de la chambre de procédé et du substrat supérieur, permettant un contrôle précis du dépôt de film et de la planarisation. Une unité de manutention avancée permet un chargement et un déchargement rapides et efficaces des plaquettes. AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur Centura DxL offre des caractéristiques avancées qui en font l'un des réacteurs les plus polyvalents pour la fabrication d'appareils micro-électroniques. Il a la capacité de déposer un large éventail d'oxydes, de nitrures et de métaux avec une précision et une répétabilité extrêmes. Ses capacités élevées de traitement de ratio d'aspect en font le choix idéal pour les applications de ratio d'aspect ultra-élevé telles que MEMS et nanotechnologie. La machine est également facile à utiliser et à entretenir, avec son IntelliPath, le contrôle de la température et de la pression à bord, et l'outil avancé de manutention du bateau de wafer.
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