Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DxZ #9093320 à vendre en France

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ID: 9093320
CVD System, 8" (3) Chambers: DxZ Ch. A: MANOMETER:100/2 HEATER: AL CLEAN METHOD: AE 2000-2V Pressure METHOD: Direct drive throttle valve CH. B: MANOMETER:100/2 HEATER: AL CLEAN METHOD: AE 2000-2V Pressure METHOD: Direct drive throttle valve CH. D: MANOMETER:100/2 HEATER: AL CLEAN METHOD: AE 2000-2V Pressure METHOD: Direct drive throttle valve 1st Monitor: Through the wall 2nd Monitor: Stand alone Narrow body loadlock HP Robot OTF Valves: Unit MFCs Filters: Milipore Regulators: Veriflo System cabinet exhaust: Top Single line drop Gas Pallet Config: CH.A SIZE MODEL CH.B SIZE MODEL CH.D SIZE MODEL SiH4 500sccm Stec MFCs SiH4 500sccm Stec MFCs SiH4 500sccm Stec MFCs NH3 200sccm Unit MFCs NH3 200sccm Unit MFCs NH3 200sccm Unit MFCs NF3 1 Slm Unit MFCs NF3 2 Slm Unit MFCs NF3 1 Slm Unit MFCs N2O 500sccm Unit MFCs N2O 500sccm Unit MFCs N2O 500sccm Unit MFCs N2 5 Slm Unit MFCs N2 5 Slm Unit MFCs N2 5 Slm Unit MFCs Process: nitride deposition (Nit. Pass.) 1996 vintage.
AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur Centura DxZ 2.5MW PECVD est conçu pour le dépôt de matériaux avancés tels que des matériaux amorphes, microporeux, silicium et nitrure de carbone. Il est hautement configurable et fournit des solutions de dépôt pour une grande variété d'applications. Le réacteur AMAT Centura DxZ est un réacteur parasite à plaques parallèles qui utilise du plasma aimanté pour créer un flux uniforme et persistant de gaz de dépôt. Cela permet d'optimiser les taux de dépôt et le revêtement conforme sur toutes les surfaces. Le réacteur est conçu pour déposer des couches d'épaisseur allant de 2 nanomètres à 8 micromètres. Le processus PECVD offre une couverture d'étape supérieure sur diverses géométries tout en maintenant de faibles charges thermiques. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur Centura DxZ est équipé d'une puissance de source pouvant atteindre 2,5 MW, ce qui permet des taux de dépôt élevés. La densité du plasma est réglable, ce qui permet une incorporation optimale de différentes combinaisons de gaz. Il dispose également de deux alimentations distinctes en gaz, permettant un contrôle indépendant des paramètres plasmatiques tels que la température, la pression et le dopage. La gamme de pression de fonctionnement du réacteur Centura DxZ est comprise entre 0,01 mbar et 4 mbar, ce qui permet une variété de procédés, y compris la gravure et le dépôt. La plage de température est réglable entre 200 et 900 degrés Celsius, permettant de différentes recettes de processus. Le réacteur peut également être configuré pour un contrôle de processus stable et répétable, fournissant des résultats cohérents dans le temps. MATÉRIAUX AMAT/APPLIQUÉS Centura DxZ est conçu pour un fonctionnement sûr et fiable. Il est équipé de plusieurs systèmes de sécurité, tels qu'un système de purge embarqué et une détection de température. Cela permet de fonctionner en toute sécurité et de prévenir toute contamination potentielle due à la présence de gaz résiduels. Dans l'ensemble, le réacteur AMAT Centura DxZ est un outil de pointe pour le dépôt d'une large gamme de matériaux avancés pour différentes applications. Ses larges plages de température et de pression de fonctionnement, associées à une puissance élevée et à un contrôle stable et répétable des procédés en font une solution de dépôt flexible et fiable.
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