Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DxZ #9176687 à vendre en France

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ID: 9176687
Chamber, 8" Wafer shape: SNNF Chamber type: PE TEOS DxZ (Delta MF oxide) Chamber B: Frequency type: Mixed Heater: 0010-050254 Manometer type: Single 100 torr Throttle valve: Dual spring Chamber O-ring: Chemraz Cover plate: Dimpled Clean method: RF Endpoint detector: Chamber Gas delivery option: Single line drop: No Valve: FUJIKIN 5 Ramax Filter: Millipore Ni 10 Ramax MFC: STEC 4400 MC Regulator: Verfilo Transducer: MKS with display Display gas pallet: Yes Gas pallet: Line 4: N2 Purge Line 5: N2 Purge Line 6: NF3 300 sccm Line 7: C2F6 2 SLM Line 8: O2 3 SLM Line 9: N2 1 SLM Liquid sources: TEOS Delivery type: EPLIS MFO Type: Unit 1661C TEOS LFM: 1.5 QFM LFM maker: STEC Carrier 1: HE 3 SLM Cable length: Controller signal cable: 25ft RF coaxial cable: 50ft Pump signal cable: 50ft RF generators: HF RF generator: AE RFG 2000-2V LF RF generator: AE PDX 900-2V.
AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur Centura DxZ est un équipement avancé de dépôt chimique à haute température en phase vapeur (CVD) conçu pour traiter le silicium et les matériaux semi-conducteurs composés pour la fabrication de dispositifs avancés. Il est conçu pour être utilisé dans les procédés de fabrication et pour les laboratoires de recherche et développement. Le système dispose d'une chambre modulaire étanche au vide et est équipé de commandes de température et de gaz, ainsi que de capacités de manutention d'échantillons et de diagnostic in situ. Le réacteur AMAT Centura DxZ est capable de traiter à la fois le silicium et les matériaux semi-conducteurs composés, et peut être configuré comme un outil de procédé monobloc ou par lots. L'unité est également équipée de pompes turbo-moléculaires évoluées et à haut rendement, capables de fournir des pressions de vide élevées, avec une performance nominale de 2x10-4Torr. La machine est conçue pour traiter le silicium et les films complexes à semi-conducteurs composés à des températures allant jusqu'à 1050 ° C, et peut être configurée avec des systèmes de chauffage laser en option et des rondelles d'échantillon pour atteindre des températures plus élevées. La chambre respectueuse de l'environnement permet un contrôle stable de la température du procédé et du gaz, ce qui améliore l'uniformité du procédé et réduit la dérive thermique, avec une uniformité de température ± 3 ° C dans une chambre de 675 ° C. L'outil est capable de contrôler avec précision le débit de gaz et le débit de gaz pur jusqu'à 8 gaz, avec un contrôle individuel du débit jusqu'à 8 zones, ainsi que des capacités de traitement par lots pour améliorer l'uniformité du procédé et réduire le risque de contamination du film. L'actif est également équipé de diagnostics in situ et d'un modèle de rétroaction en boucle fermée conçu pour maintenir l'uniformité et la répétabilité des processus. Cet équipement de rétroaction peut surveiller, enregistrer et contrôler avec précision l'ensemble du processus, tandis que les diagnostics in situ sont capables de mesurer, surveiller et contrôler l'épaisseur du film et d'autres paramètres. Le système est également capable de mettre en oeuvre des procédés supplémentaires et différents de cuiculture, tels que le dépôt par épitaxie, afin d'obtenir les propriétés de matériau recherchées dans des couches complexes de films semi-conducteurs. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur Centura DxZ est conçu pour la production et la recherche, offrant des capacités de processus de haute performance, l'uniformité et la répétabilité pour une gamme d'applications et de besoins de recherche, y compris la fabrication de dispositifs avancés, les cellules solaires à couches minces, et bien d'autres. Grâce à ses capacités, l'unité devrait améliorer considérablement les résultats et la précision des dépôts de films, en réduisant les coûts et en augmentant les rendements des appareils.
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