Occasion AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DxZ #9176687 à vendre en France
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Vendu
ID: 9176687
Chamber, 8"
Wafer shape: SNNF
Chamber type:
PE TEOS DxZ (Delta MF oxide)
Chamber B:
Frequency type: Mixed
Heater: 0010-050254
Manometer type: Single 100 torr
Throttle valve: Dual spring
Chamber O-ring: Chemraz
Cover plate: Dimpled
Clean method: RF
Endpoint detector: Chamber
Gas delivery option:
Single line drop: No
Valve: FUJIKIN 5 Ramax
Filter: Millipore Ni 10 Ramax
MFC: STEC 4400 MC
Regulator: Verfilo
Transducer: MKS with display
Display gas pallet: Yes
Gas pallet:
Line 4: N2 Purge
Line 5: N2 Purge
Line 6: NF3 300 sccm
Line 7: C2F6 2 SLM
Line 8: O2 3 SLM
Line 9: N2 1 SLM
Liquid sources:
TEOS Delivery type: EPLIS
MFO Type: Unit 1661C
TEOS LFM: 1.5 QFM
LFM maker: STEC
Carrier 1: HE 3 SLM
Cable length:
Controller signal cable: 25ft
RF coaxial cable: 50ft
Pump signal cable: 50ft
RF generators:
HF RF generator: AE RFG 2000-2V
LF RF generator: AE PDX 900-2V.
AMAT/MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur Centura DxZ est un équipement avancé de dépôt chimique à haute température en phase vapeur (CVD) conçu pour traiter le silicium et les matériaux semi-conducteurs composés pour la fabrication de dispositifs avancés. Il est conçu pour être utilisé dans les procédés de fabrication et pour les laboratoires de recherche et développement. Le système dispose d'une chambre modulaire étanche au vide et est équipé de commandes de température et de gaz, ainsi que de capacités de manutention d'échantillons et de diagnostic in situ. Le réacteur AMAT Centura DxZ est capable de traiter à la fois le silicium et les matériaux semi-conducteurs composés, et peut être configuré comme un outil de procédé monobloc ou par lots. L'unité est également équipée de pompes turbo-moléculaires évoluées et à haut rendement, capables de fournir des pressions de vide élevées, avec une performance nominale de 2x10-4Torr. La machine est conçue pour traiter le silicium et les films complexes à semi-conducteurs composés à des températures allant jusqu'à 1050 ° C, et peut être configurée avec des systèmes de chauffage laser en option et des rondelles d'échantillon pour atteindre des températures plus élevées. La chambre respectueuse de l'environnement permet un contrôle stable de la température du procédé et du gaz, ce qui améliore l'uniformité du procédé et réduit la dérive thermique, avec une uniformité de température ± 3 ° C dans une chambre de 675 ° C. L'outil est capable de contrôler avec précision le débit de gaz et le débit de gaz pur jusqu'à 8 gaz, avec un contrôle individuel du débit jusqu'à 8 zones, ainsi que des capacités de traitement par lots pour améliorer l'uniformité du procédé et réduire le risque de contamination du film. L'actif est également équipé de diagnostics in situ et d'un modèle de rétroaction en boucle fermée conçu pour maintenir l'uniformité et la répétabilité des processus. Cet équipement de rétroaction peut surveiller, enregistrer et contrôler avec précision l'ensemble du processus, tandis que les diagnostics in situ sont capables de mesurer, surveiller et contrôler l'épaisseur du film et d'autres paramètres. Le système est également capable de mettre en oeuvre des procédés supplémentaires et différents de cuiculture, tels que le dépôt par épitaxie, afin d'obtenir les propriétés de matériau recherchées dans des couches complexes de films semi-conducteurs. MATÉRIAUX APPLIQUÉS Le réacteur Centura DxZ est conçu pour la production et la recherche, offrant des capacités de processus de haute performance, l'uniformité et la répétabilité pour une gamme d'applications et de besoins de recherche, y compris la fabrication de dispositifs avancés, les cellules solaires à couches minces, et bien d'autres. Grâce à ses capacités, l'unité devrait améliorer considérablement les résultats et la précision des dépôts de films, en réduisant les coûts et en augmentant les rendements des appareils.
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